在纯电车型 800V 高压平台快速普及的背景下，SiC MOSFET 已成为决定整车效率与续航的关键器件。过去两年，全球车规级 SiC 市场被 Wolfspeed、Infineon、STM 三巨头占据 70% 以上份额，国产替代率不足 15%。宏微科技此次获得的定点，标志着本土厂商在 1200V 高耐压、大电流、低导通电阻等核心指标上首次通过头部车企严苛验证，完成从工业级向车规级的“惊险一跃”。
技术层面，芯动能此次送样的 Gen-3 沟槽栅 SiC MOSFET 采用 6 英寸
碳化硅衬底，单片集成温度传感器与开尔文源极，导通电阻（RDS(on)）低至 9 mΩ·cm²，较上一代平面栅方案下降 28%；同时通过 AEC-Q101 1000 小时高温反偏（HTRB）及 2000 次功率循环测试，失效率低于 10 ppm。宏微科技董事长在业绩会上透露，公司已建成 2 万片/年 6 英寸 SiC 外延线，2025 年底将扩至 5 万片，良率已爬升至 82%，接近国际一线水平。
市场测算显示，若定点车型为高端纯电 SUV，单车需 48 颗 1200V/20 mΩ SiC MOSFET，按 2026 年 20 万辆销量估算，年需求接近 960 万颗；按 ASP 80 元/颗计，仅主驱逆变器模块即可带来 7.7 亿元收入。考虑到该车企后续平台化车型及
储能逆变器外溢需求，宏微潜在订单峰值有望突破 15 亿元。此外，定点通知书明确“优先保证产能”，意味着宏微有望锁定 2026–2028 三年价格区间，平滑行业可能的周期性波动。
国产供应链协同效应亦在加速释放。宏微科技已同天岳先进签署 6 英寸碳化硅衬底长期供货协议，锁定 2025–2027 年 30 万片产能；并与华大九天合作开发车规级功率器件设计平台，缩短迭代周期 30%。在封测端，公司与通富微电共建车规级功率模块产线，采用银烧结+
铜 clip 工艺，热阻降低 15%，满足 800V 平台 400Arms 持续电流需求。通过“衬底—外延—器件—模块”垂直整合，宏微有望把成本较进口器件压低 20%–25%，为车企降本提供空间。
不过，风险依旧存在。一是车企尚未正式签约，技术路线若从 SiC 转向 GaN 或 Si IGBT+SiC 混合方案，订单规模可能缩水；二是 8 英寸衬底扩产节奏快于预期，若竞争对手提前量产 8 英寸器件，可能带来成本冲击；三是国际大厂降价抢单。对此，宏微已启动 8 英寸 SiC 中试线，并计划在 2026 年 Q2 完成可靠性验证，以应对下一轮技术竞赛。
一颗 SiC MOSFET 的定点，映射的是国产功率半导体从“替补”到“首发”的跨越。宏微科技凭借技术突破与垂直整合，率先拿到国内新能源龙头“门票”，不仅为公司打开十亿级新增市场，也为本土 SiC 产业链注入强心剂。随着 800V 车型渗透率提升与储能市场爆发，车规级 SiC 器件国产化率有望从 2024 年的 15% 跃升至 2027 年的 40%，而宏微科技正站在风口中央。
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2026年01月16日 ~ 18日
