国内碳化硅领域迎来重大突破，长飞先进成为行业焦点。5月28日消息传来，长飞先进武汉基地一期已成功实现量产通线，首片6寸碳化硅晶圆顺利下线，这标志着国内碳化硅产业发展迈出了坚实一步。
长飞先进武汉基地项目总投资高达200亿元，占地面积达498亩，其中一期占地344亩。该项目达产后，将具备年产36万片外延、36万片6寸碳化硅晶圆以及6100万个碳化硅功率模块的强大制造能力，满产后甚至可满足144万台新能源汽车对高端芯片的需求。
据长飞先进武汉晶圆厂总经理李刚介绍，此次下线的6英寸碳化硅晶圆主要应用于新能源汽车的主驱，且已通过车规可靠性标准认证，首批良率高达97%。目前，基地正全力推进产能爬坡，预计到今年年底月产能可达3500片。
碳化硅作为第三代半导体的典型代表，凭借其独特的材料特性，在高压高功率领域优势显著，在新能源汽车、光伏、储能等领域的应用正迅速拓展。长飞先进此前已在安徽芜湖建成具备年产6万片碳化硅MOSFET晶圆制造能力的基地，武汉基地则是其扩产规划的关键一环。2023年8月，长飞先进与武汉东湖高新区签署合作协议，项目从选址考察到建成投产仅用21个月，速度惊人。
李刚表示，当前所谓“碳化硅产能过剩”主要集中在低端产能，而真正应用于新能源主驱的国产碳化硅芯片市场占有率不足10%，替代空间巨大。目前，武汉基地已接待众多全球客户和上下游伙伴，部分客户产品正在验证，有望几个月后正式量产。
值得一提的是，长飞先进半导体虽相对年轻，但发展势头迅猛。其诞生源于长飞光纤对新能源汽车产业功率半导体市场的敏锐洞察以及多元化战略布局。此后，长飞先进引进上百名拥有半导体国际大厂背景的核心团队成员，成功实现芜湖基地量产。2023年8月，公司完成超38亿元A轮股权融资，投资方阵容豪华。武汉基地作为国内首座全智能化碳化硅器件制造标杆工厂，只需80多名产线工人就能维持24小时四班倒连续运行。
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