权利要求
1.一种基板加工方法,其特征在于,所述方法包括:
提供待加工基板,所述待加工基板具有多个布线区域和切割区域,相邻所述布线区域之间经所述切割区域分隔;
通过激光光斑扫描所述布线区域和所述切割区域,以在所述布线区域内形成第一改质点和在所述切割区域内形成改质线;
通过腐蚀液腐蚀所述布线区域和所述切割区域,使所述第一改质点形成微孔,以及沿所述改质线将所述多个布线区域切割为相互独立的产品。
2.如权利要求1所述的基板加工方法,其特征在于,
所述激光光斑同步扫描所述布线区域和所述切割区域;
所述腐蚀液同步腐蚀所述布线区域和所述切割区域。
3.如权利要求1或2所述的基板加工方法,其特征在于,通过所述激光光斑扫描所述切割区域时,在所述切割区域内形成线状排布的多个第二改质点,所述多个第二改质点作为所述改质线。
4.如权利要求3所述的基板加工方法,其特征在于,相邻所述第二改质点部分交叠。
5.如权利要求4所述的基板加工方法,其特征在于,相邻所述第二改质点的中心间距为扫描所述切割区域的激光光斑直径的0.5至0.8倍。
6.如权利要求4所述的基板加工方法,其特征在于,通过所述腐蚀液腐蚀所述切割区域时,以所述改质线为中心,沿垂直所述待加工基板的厚度方向向所述改质线的两侧腐蚀。
7.如权利要求1或2所述的基板加工方法,其特征在于,所述通过腐蚀液腐蚀所述布线区域和所述切割区域包括:
在所述腐蚀液为酸性腐蚀液且温度为40℃至60℃条件下,保持所述布线区域和所述切割区域被腐蚀30min至90min。
8.如权利要求1或2所述的基板加工方法,其特征在于,在所述布线区域内形成阵列设置的多个所述第一改质点,相邻所述第一改质点之间的间距为10微米至200微米。
9.如权利要求8所述的基板加工方法,其特征在于,所述第一改质点由所述待加工基板的一侧表面延伸至相对侧。
10.一种光芯片,其特征在于,所述光芯片包括基底,所述基底采用如权利要求1至9任一项所述的基板加工方法得到。
说明书
技术领域
[0001]本申请涉及半导体加工技术领域,具
声明:
“基板加工方法和光芯片” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)