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本发明公开一种带有抽真空的炉底出钢浇注系统，包括炉衬、底漏管、浇注开关、引流道、铸造模室、冷却进出管、真空连接管、真空泵。所述炉衬是熔炼金属的容器，也称坩埚。所述的一种带有抽真空的炉底出钢浇注系统，它是安装连接在熔炼炉炉衬的底部。钢液浇注前起动真空泵，确保引流道和铸模室处于真空状态，然后打开浇注开关通道，钢液通过浇注开关经过引流道进入铸模室进行冷却定型。由于钢液隔绝了空气，没有受空气而污染，防止了气态金属再氧化，提高了产品纯洁度。同时由于炉底出钢可降低钢液出钢温度，节省用电成本。该工艺的实现，填补了国际国内空白，有着巨大的市场前景和市场竞争力。
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本发明公开了一种铜浮渣熔炼回收有价金属的方法。以铜浮渣、铁屑、造渣剂和还原剂为原料进行配料；所配物料加入熔炼炉中进行加热还原熔炼，经过还原熔炼，产生粗铅、熔炼渣、冰铜和烟气；铜浮渣中的铅金属进入粗铅，锡金属进入粗铅，铜金属进入冰铜；产生的粗铅进入除锡工序，经造锡渣后进入粗铅电解工序产电解铅；冰铜转入铜冶炼系统回收利用；烟气经收尘处理，处理后所得烟气进入尾气系统排空，所得烟灰返回熔炼工序作为配料重新利用。通过本发明技术方案，能够使铜浮渣熔炼渣的流动性得到明显改善，熔炼过程中炉内渣、冰铜、粗铅的分层效果增强，炉内粘渣产生及塌料现象发生减少，渣指标降低明显，作业安全可控，劳动强度下降。
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本发明公开一种GH3535高温合金真空感应炉冶炼工艺，通过选用氧化镁坩埚为实验坩埚，配合正确的纯净化冶炼工艺，达到纯净化的目的。本发明熔炼高温合金返回料的工艺流程为：装炉料，熔化前期，熔化期，精炼期，第一冷冻期，终脱氧期，第二冷冻期，浇注；第一冷冻期合金经过精炼期后停电，使合金在高真空状态自然凝固，使溶解于合金中的氧化物、氮化物以及游离态的氧、氮随着温度的下降使其溶解度降低的情况下，析出并排走；第二冷冻期使氧、氮进一步析出并排走。本发明的优点在于：在真空条件下二次降温自然凝固，使氧、氮不断脱出，含量降低到10×10‑6以下，效果远优于现有技术，本技术可以批量冶炼GH3535高温合金；并且大幅度延长了坩埚使用寿命。
一种真空感应熔炼Ti-Ni及Ti-Ni-Nb形状记忆合金的工艺,采用CaO坩埚熔炼合金;按合金要求的比例装炉,Ti-Ni合金:Ni及15～25%的Ti装入坩埚中,剩余75～85%的Ti和强脱氧剂Ca加入合金加料斗内;Ti-Ni-Nb合金:Ni、Nb及20%的Ti装入坩埚中,剩余75～85%的Ti和强脱氧剂Ca加入合金加料斗内;抽真空至炉内压力低于2Pa时,充氩气至0.3～0.6atm范围;送电,当材料熔化后,向坩埚内加余下75～85%的Ti,间歇搅拌;化清后在高于合金熔点20～100℃温度范围内精炼10～20min;然后合金液停电冷凝;将上述凝固的合金液升温熔化,熔化后向合金液中加入0.01～0.1wt%的Ca进行强脱氧;调整合金液温度高于熔点80～120℃,浇注,得Ti-Ni及Ti-Ni-Nb形状记忆合金铸锭。本发明能有效控制合金的主成分,避免熔炼过程中的增氧,提高合金加工性能。
提供改善导电膜图案的形成方法、能够更高效率地达到良好的膜厚化的导电膜图案及其形成方法,进而提供使用该导电膜图案构成的配线基片、电子器件、电子机器、以及非接触型卡片介质。本发明的导电膜图案的形成方法,具备:在基片1的上方形成微小空隙型的容纳层2的工序,在容纳层2上、或者容纳层2上和容纳层2中设置含有导电性微粒和有机金属化合物中的至少一方的液状体(液滴)的工序,以及通过热处理使导电性微粒3及有机金属化合物中的至少一方相互接触、或者导电性微粒和有机金属化合物接触而形成导电膜图案4的工序。
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本发明的目的是通过改善负极活性物质粒子表面的导电性,提供高容量、且循环放电容量下降较少的非水电解质二次电池用负极。为了达到上述目的,使用由作为构成元素至少包含Sn的锂吸藏相和锂非吸藏相形成的粒子和覆盖部分或全部前述粒子表面的导电性材料组成的复合粒子作为负极。所用导电性材料为导电性高分子、碳材和金属材料中的任一种。
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本发明公开一种专用于中小型真空炉炉内模具的多工位的传动机构，包括升降机构、平移机构、旋转机构组成；升降机构包括伺服电动缸、升降套筒、导向柱、滑轨底座和动密封组件；平移机构包括真空步进电机、圆柱齿轮、丝杠丝母、滑轨、滑块、丝杆支撑座、传动架和叉子；旋转机构包括直线轴承、过渡板、圆柱齿轮、伺服电机减速机、回转支承、大套筒、动密封套和骨架胶圈；本发明具有运动平稳精确，加工难度小，占用空间小，易于维护，工况适应性强等特点。
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本发明为高集成度和实用性的干式真空泵抽气工艺模拟测试方法和测试系统，通过组建的模拟真空室，集成了气、液、电、磁、热、粉尘、腐蚀性等多种干式真空泵应用环境中常见的元素，使用多种传感器对同时具有温度、湿度、气体成分、实时图像、压力、流量和噪声等信号进行反馈，并通过多个控制系统进行监控，对干式真空泵抽气工艺适应情况进行检验和完善。本发明的测试系统采用严格的污染物收集和接驳处理，并具有危险示警和自动保护功能系统，具有安全性、智能性、绿色环保的特点和良好的可重复性，可以模拟包括输送、物理气相沉积、化学气相沉积、刻蚀、光刻、化工、制药等在内的清洁、轻度污染、中度污染和重度污染真空环境的真空泵抽气工艺环境。
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本发明公开了一种强化聚晶立方氮化硼复合超硬材料的制备方法，在PCBN材料中添加了如立方碳氮化硼c-BC2N、碳化硼（B4C）和纳米孪晶立方氮化硼（nt-CBN）等超硬材料的增强相，是一种高温高压烧结合成超硬复合材料的新方法，属于超硬材料领域。其步骤为将硬度极高的材料切割成增强芯柱体，在粉料中埋入增强芯柱体后放入叶腊石块在高温高压的条件下合成，得到具有增强芯的PCBN材料。本发明制备的强化PCBN复合超硬材料兼具有PCBN的韧性，和媲美天然金刚石材料的超高硬度，解决了现代机械加工行业对刀具越来越高的要求以及某些极超硬材料在应用方面的尴尬局面，拓宽了超硬材料的应用领域。
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本发明提供一种利用高镍铜合金废料制备的黄铜钎焊料及其方法。从充分利用高镍铜合金废料出发，在高镍铜合金废料中添加价格相对低廉的合金元素Cu、Mn和Zn，进行成分调控,优化原料配比，按重量百分比计：高镍铜合金废料51％‑56％、Cu 8％‑10.5％、Mn 4％‑5.5％和Zn 30％‑34％；获得一种成本低、熔点低、具有良好的综合力学性能和焊接性能的黄铜钎焊料，其组分及其含量按重量百分比计：Cu 47％‑55％、Mn 4.5％‑5.6％、Ni 8％‑10.8％、Al 1.2％‑1.5％、Fe 0.7％‑0.9％、Si 0.38％‑0.48％，余量为Zn；其中Ni、Al、Fe和Si全部来原于高镍铜合金废料。本发明制备方法实现了废料的有效综合利用，本发明的产品进一步扩大了钎焊料的应用范围，可用于钎焊结构钢和硬质合金及焊补铸铁；工艺流程简单、操作方便，便于大规模生产。
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高沸点合金间断式真空蒸馏分离炉，包括设在炉内的真空蒸馏分离套件(1)、坩埚(3)、平板式石墨发热体(2)、电极(4)和密封炉壳(5)、起导通作用的发热体连接座(11)、支撑环(10)；冷凝器套件(6)和保温罩(7)；本发明的有益效果是：以真空蒸馏的方式实现包括贵金属在内的多元高沸点合金的真空蒸馏分离；分馏斜盘和平盘组合使用，分馏斜盘使不纯金属蒸气回流，反复蒸馏从而增加蒸气纯度；分馏平盘在收集冷凝得到的挥发物的同时也让蒸气不断分馏冷凝；分馏盘交错安装有利于蒸气的冷凝与挥发物的纯度保证；通过改变保温罩的高度或厚度调节冷凝套件的温度，形成温度梯度，可选择性的冷凝金属气体，得到多个冷凝产物。
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本发明公开一种多元合金分级蒸馏设备，其中，包括一炉壳本体、设置在所述炉壳本体内部的真空蒸馏装置和加热装置，以及与所述真空蒸馏结装置连接的产物收集装置，所述炉壳本体包括炉底盘以及设置在所述炉底盘上的支撑脚，所述真空蒸馏装置包括固定设置在所述支撑脚上的汇流盘，设置在所述汇流盘上端的石墨坩埚，套接在所述石墨坩埚外围的石墨冷凝罩。本发明提供的多元合金分级蒸馏设备，可在不中断蒸馏过程的前提下，实现多元合金的逐级挥发和收集，无需进行二次处理，可有效缩短处理流程、提高生产效率并降低能耗，且本发明的设备在蒸馏过程中无废水废气产生，生产环境好。
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本发明涉及一种制备太阳能级多晶硅的方法,采用冶金级硅作为原料,经破磨后得粒度为50目以上的硅粉物料,硅粉物料分别用浓度为1-6mol/l的盐酸、浓度为0.5-6mol/l的硝酸和浓度为1-5mol/l的氢氟酸进行酸浸处理,酸浸后加入真空炉内进行真空精炼处理,真空精炼分两阶段,第一阶段为真空氧化精炼,控制炉内温度为1430-1500℃,真空度为90000-1000Pa,第二阶段,即真空蒸馏精炼和真空脱气阶段,控制炉子真空度10-2-10-5Pa,温度1430-1500℃,最后经定向凝固及切头处理,获得太阳能级多晶硅产品。其硅的纯度为99.9999%以上,比电阻超过0.4Ω·cm,以满足太阳能电池行业所需硅原料的要求。
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本发明公开了一种利用方铅矿直接制备金属铅的方法，包括下述的步骤：S1.将方铅矿原料经过球磨后压制成块状；S2.将块状原料在真空炉内系统残压为1～100Pa的条件下，升温至950℃～1400℃，进行真空蒸馏，然后冷却获得高纯金属铅残留物。本发明有如下有益效果：(1)节约原料，原料实现高值化利用，零浪费；(2)效率高，能耗低，真空蒸馏一次可获得纯度高的金属铅；(3)工艺简单，不需要添加其它化学试剂，无污染。
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提供改善导电膜图案的形成方法、能够更高效率地达到良好的膜厚化的导电膜图案及其形成方法,进而提供使用该导电膜图案构成的配线基片、电子器件、电子机器、以及非接触型卡片介质。本发明的导电膜图案的形成方法,具备:在基片1的上方形成微小空隙型的容纳层2的工序,在容纳层2上、或者容纳层2上和容纳层2中设置含有导电性微粒和有机金属化合物中的至少一方的液状体(液滴)的工序,以及通过热处理使导电性微粒3及有机金属化合物中的至少一方相互接触、或者导电性微粒和有机金属化合物接触而形成导电膜图案4的工序。
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本发明提供一种冶金装置，涉及冶金技术领域。冶金装置包括熔炼室主体、坩埚、出液组件和浇铸室。坩埚的底壁开设有贯穿其的通孔；出液组件穿设于通孔，第一出液块设置有管道部，管道部开设有第一出液孔，第二出液块开设有与第一出液孔相对应的第二出液孔，第一出液块与通孔的内壁固定连接，第二出液块转动连接于通孔内，第一出液块的底面与第二出液块的顶面相抵接；浇铸室位于熔炼室主体的底部，浇铸室与坩埚之间设置有连接管道，连接管道分别与浇铸室和第二出液孔连通，连接管道的顶面与第二出液块的底面相抵接。本发明提供的冶金装置，实现从坩埚的底部进行浇铸，有效提高纯净度，减少夹渣，同时减小熔炼室主体的体积，获得高纯度的合金材料。
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本发明涉及一种分离铅锡锑三元合金的方法,采用真空蒸馏的方法处理铅锡锑三元合金,控制蒸馏温度为900～1200℃,蒸馏时间为40～60min,真空度为5～15Pa,合金中三组元成分通过一步蒸馏处理,使高沸点的锡保持液态而低沸点的铅锑则以气态形式从合金中挥发出来,从而与液态锡分离。可以使锡中铅锑含量降至1%以下,且铅锡锑三元素的回收率均在98%以上。
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本发明提供一种脆硫铅锑矿铅锑分离的方法，基于脆硫铅锑矿（Pb4FeSb6S14）特殊的分子组成，控制适当的升温温度和冷凝温度，利用真空的特殊环境，实现方铅矿（PbS）和辉锑矿（Sb2S3）的分别挥发和冷凝，从而有效的分离铅锑。本发明直接对脆硫铅锑矿进行处理，即可直接获得方铅矿和辉锑矿；采用经济、环保的真空技术处理脆硫铅锑矿，且不需要消耗任何试剂，生产成本低、对环境无任何污染；对原料成分含量没有要求，具有广泛的适应性；不产出合金，产物可直接用于冶炼铅锑金属。
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一种布线基板及半导体器件及其制造方法。形成第一导电层;形成绝缘层,使至少其一部分被配置在所述第一导电层上;形成第二导电层,使至少其一部分被配置在所述第一导电层上方的所述绝缘层上;通过分别喷出包含导电性材料的微颗粒的溶剂液滴,形成所述第一和第二导电层,喷出包含绝缘性微颗粒的溶剂液滴,形成所述绝缘层,制造布线基板;在所述布线基板上安装半导体芯片。
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本发明的目标是在对金属或半导体熔体的精炼中，在不损害精炼效率的情况下缓解与由流动熔体中的不稳定性导致的坩埚不平相伴的磨损和撕裂，以及在长时期内允许安全操作从而不发生从坩埚的泄漏。提供一种金属或半导体熔体精炼方法，其中通过使用AC电阻加热加热器作为坩埚加热方法，将熔体保温并通过由电阻加热加热器产生的旋转磁场混合。金属或半导体熔体精炼方法和用于精炼方法的最佳真空精炼装置的特征在于：为了当通过旋转磁场使熔体旋转时在熔体与坩埚底面之间的边界中不出现流体不稳定性，设熔体的运动粘度系数为v(m2/秒)、熔体的流体表面的半径为R(m)、且熔体的旋转角速度为Ω(弧度/秒)，进行使被定义为Re＝R×(Ω/v)^(1/2)的雷诺数(Re)的值不超过600的操作。
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本发明公开了一种从镍镉废电池中回收镉的方法,包括以下步骤:将镍镉废电池破碎,磁选过筛,将筛下的粉末投入溶解釜中;在溶解釜中加入水、无机强酸、氧化剂搅拌,升温至50～100℃,浸泡1～3小时,取浸出液;在浸出液加入碱性化合物,将浸出液的pH调节至3～5,除铁,固液分离;在将固液分离后的浸出液通入H2S气体或加入水溶性硫化盐,将镉元素沉淀。本发明的回收方法简单易行,能耗较低,镉回收率高,设备投资少,经济效益高,是一种环保、易于操作的镍镉废电池的镉回收工艺。回收得到的镉硫化物可直接应用于加镉球形氢氧化镍的生产。
一种器件安装结构、器件安装方法、液滴喷头、连接器及半导体装置,该器件安装结构,其具备:具有导电连接部和槽部的基体、具有经由所述基体上的所述槽部而与所述导电连接部电连接的连接端子并且被配置于所述基体上的器件、将所述连接端子和所述导电连接部电连接并具有与所述槽部的高度大致相同的高度的连接器。
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提供一种能够确保半导体元件与电路基板的连接可靠性的倒装芯片安装用的电路基板。倒装芯片安装用的电路基板在基板材料(6)的表面上具备有:布线图形(1)、倒装芯片安装用的连接焊盘(2)、以及在连接焊盘(2)上形成开口部(4)的阻焊剂(3),倒装芯片安装用的电路基板在开口部(4)内形成具有导电性的构件(5)。
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本发明提供一种金属镁的生产方法，包括如下步骤：将高温熔融态的镍铁渣加入到真空反应容器中，并对真空反应容器进行抽真空处理；向抽真空处理后的真空反应容器中喷入还原剂粉末；对喷入还原剂粉末的真空反应容器进行加热处理，使镍铁渣与还原剂粉末发生充分还原反应，得到低硅位SiFe和高品位的含镁渣；向充分还原反应后的真空反应容器中加入稀渣剂，得到含有氧化镁的液态稀渣；向加入稀渣剂后的真空反应容器中加入硅铁，对真空反应容器内产生的单质镁进行净化回收处理，得到金属镁。利用本发明能够解决现有技术中，从镍铁渣中提取金属镁的过程中反应效率低、成本高、对镍铁渣的利用量有限等问题。
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本发明公布了一种基于资源综合利用手段生产稀土镁硅铁合金的方法，其针对目前稀土硅铁合金冶炼废渣难以资源化利用的难题，并克服硅热法生产稀土镁硅铁合金传统工艺上的诸多不足，提供一种基于针对稀土硅铁合金冶炼废渣进行资源综合利用，采用硅热法一步制备得到具有高镁特征的稀土镁硅铁合金，且工艺流程简便，冶炼废渣中稀土回收率高、镁元素的还原率及合金得率高的方法。本发明方案解决了长期以来稀土硅铁合金冶炼废渣存在环境影响和难以资源化利用的产业症结，提供了一种生产稀土镁硅铁合金的新工艺途径，在产业实践方面具有经济和技术可行性。
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一种布线基板及半导体器件及其制造方法。形成第一导电层;形成绝缘层,使至少其一部分被配置在所述第一导电层上;形成第二导电层,使至少其一部分被配置在所述第一导电层上方的所述绝缘层上;通过分别喷出包含导电性材料的微颗粒的溶剂液滴,形成所述第一和第二导电层,喷出包含绝缘性微颗粒的溶剂液滴,形成所述绝缘层,制造布线基板;在所述布线基板上安装半导体芯片。
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本发明公开了一种火法回收氮化镓废料中稀散金属镓的方法，属于有色金属冶金技术领域。本发明的方法包括以下步骤：在常压惰性气氛保护条件下对氮化镓废料进行高温煅烧，使之发生热分解直接获得金属镓产品，而氮则转化为N2进入保护气体可以循环使用，反应后对反应产物进行淬火冷却，回收金属镓。采用本发明的技术方案能够一步获得金属镓产品，整个过程不产生废水、废气、废渣，镓的回收率高，工艺简单、成本低、对环境友好；同时，能够有效实现氮化镓废料中稀散金属镓的高效回收和氮的循环利用。
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本发明涉及一种以高纯二氧化硅和氢气为原料制备多晶硅的方法，属于非金属矿深加工技术领域。以高纯H2为还原剂、以高纯SiO2为硅源，先在高温1250‑1300℃下通入H2，使SiO2被还原成SiO，O与H2反应生成H2O；然后再升温到1350℃通入H2，把温度控制在1350‑1400℃之间。此时SiO被H2还原成高纯Si，SiO中的O与H2发生氧化还原反应后生成H2O，整个制备过程对环境无任何污染。
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