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本实用新型涉及叠瓦互联失效检测设备及系统。所述叠瓦互联失效检测设备(1)包括：供能器，包括从其延伸出的检测连接端头(2)，检测连接端头(2)能够连接至待检测的叠瓦组件(11)；控制器，其连接至供能器并控制、测量供能器对于待检测的叠瓦组件(11)的能源供应以及待检测的叠瓦组件(11)的反馈，以检测叠瓦互联是否失效。所述叠瓦互联失效检测系统包括所述叠瓦互联失效检测设备。采用本实用新型的检测设备及系统，能够大大缩短评失效检测的估周期，可靠性评估方便且准确度高。
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本发明提供一种基于首层失效的复合材料层合板可靠性分析方法，首先根据复合材料层合板的结构特征及材料属性，确定层合板中的随机变量，并对各随机变量进行均匀离散化；然后分别构造载荷、纵向/横向拉伸强度和剪切强度发生函数，通过定义发生函数的复合算子和相应的性能结构函数，结合单层板的Tsai‑Hill强度理论，建立各单层板(失效元)的抗力发生函数；最后根据首层失效准则，建立结构系统的抗力发生函数，通过定义δ算子，求解层合板的可靠度。本发明在发生函数复合运算的过程中，引入同类项合并和K‑means聚类技术提高了运算效率，适用于存在多变量和非线性功能函数的结构系统可靠性评估。
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本发明公开了一种皮带机传动系统失效检测保护系统及方法。该失效检测保护系统包括感应块、接近开关和控制模块，感应块固定在传动滚筒轴向上的一侧端的端面上，接近开关固定设置在感应块的外侧，且接近开关与感应块正对时，接近开关与感应块间的距离小于等于接近开关的感应距离，控制模块分别连接接近开关和皮带机电源，控制模块用于接收接近开关输出的脉冲信号，并根据接收到的脉冲信号的信号间隔时间控制皮带机电源是否断开。本发明的皮带机传动系统失效检测保护系统及方法能够检测并判定传动系统的失效问题，及时发现皮带机故障，并及时断电实现联锁保护，检测准确、可靠性和稳定性高，结构简单、成本低、易维护，且适用于现场改造。
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本发明涉及一种基于CML的智能变电站设备网络结点连锁失效风险分析方法，属于信息安全领域。通过对智能变电站设备节点以及节点间的设备连接建立网络，来评估不同设备节点在发生故障时对智能变电站整体设备网络的影响，从而对智能变电站信息安全风险进行有效分析。基于该模型的智能变电站信息安全风险分析管理子系统可以协助管理者对智能变电站的信息安全风险数据进行管理并实现数据可视化，为智能变电站系统的网络安全评估提供准确的基础数据支撑。
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本实用新型揭示了一种失效检测结构。所述失效检测结构包括：形成于半导体基底上的参考部分和检测部分；所述参考部分和检测部分皆包括位于所述半导体基底上的第一辅助金属、覆盖所述半导体基底和第一辅助金属的介质层、位于所述介质层上的中央金属和围绕所述中央金属的第二辅助金属、以及位于所述中央金属上的插塞，所述第二辅助金属与所述中央金属之间具有一沟槽；所述参考部分中插塞与中央金属的边缘的距离大于所述检测部分中插塞与中央金属的边缘的距离。通过比较参考部分和检测部分相应的漏电流，能够判断出缺陷类型，并得到较为精确的缺陷数据。本实用新型降低了检测成本，提高了检测效率。
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本发明提供了一种失效分析无缓冲图像采集的方法，预设目标拍摄区域，将该目标拍摄区域划分成多个连续但不重叠的长方形子区域，所述子区域的长和宽与每张照片能拍摄到的长和宽一致；移动样品至第一个拍照子区域，打开电子束对该区域进行扫描，收集二次电子或背散射电子等物理信号并形成图像；关停电子束，将样品移动至下一个拍照子区域；重复此过程，直至扫描收集完全部子区域的图像。本发明还提供了一种可以执行上述方法的失效分析无缓冲图像采集系统。
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本发明公开了一种电动千斤顶失效自动检测系统及方法，包括电动千斤顶、检测模块、电源模块、无线通信模块、主控模块和人机交互模块，检测模块、无线通信模块，主控模块和人机交互模块设置在电动千斤顶上，人机交互模块、无线通信模块与检测模块与主控模块连接。本发明提供一种使得使用者使用时省时省力，同时使得千斤顶在使用时可知道顶伸距离和千斤顶的失效情况，及其检测起重负荷，使得不容易出现超出千斤顶最大起重负荷，从而避免使千斤顶出现故障，影响其正常使用的电动千斤顶失效自动检测系统及方法。
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本发明属于功能安全技术领域，具体涉及一种基于Excel的失效模式影响诊断分析工具及方法，包括建于Excel中的运行工况模块、数据库模块、物料清单模块、安全机制模块、FMEDA永久性故障模块、FMEDA瞬态故障模块和报告模块；本发明通过在Excel中建立失效模式影响诊断分析工具，取缔了基于功能安全而全面开发的软件，稳定性高且对运行环境要求低。
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本公开提供的一种性能失效小区的检测方法、装置、设备，涉及通信技术，包括：当移动终端驻留小区时，确定驻留的小区是否为移动终端的常驻小区；若确定驻留的小区是移动终端的常驻小区，则根据移动终端与常驻小区之间的通信信息，确定常驻小区是否为性能失效小区；若确定常驻小区为性能失效小区，则重新选择其他满足驻留条件的目标小区，并在目标小区驻留。本方案，可以在移动终端接入小区并驻留时，提前检测出移动终端驻留的小区是否为性能失效小区，若为性能失效小区，则可重选至其他满足驻留条件的小区，更好的保护了移动终端不受性能失效小区的影响。
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本发明涉及一种侵入式神经电极失效分析方法，包括以下步骤：分别连续采集不同植入时间的神经电极的脑电信号，直至所述神经电极失效导致采集到的脑电信号发生异常；获取失效的所述神经电极，并截取所述神经电极的尖端有效部位，用SEM分别观察不同植入时间的所述神经电极的尖端有效部位，并进行EDS元素分析；建立脑电信号发生异常、所述神经电极微观形貌、以及所述神经电极的EDS元素分布变化的联系。本发明能够从微观尺度研究神经电极电学失效模式背后的微观机理。
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本实用新型公开了一种带有防雷保护失效检测功能的电源管理单元，包括分别与控制模块连接的输入模块、输出模块，其特征在于：还包括防雷保护电路、防雷失效检测单元、MCU处理单元、通讯模块和报警模块，所述防雷保护电路一端与输入模块连接，另一端与防雷失效检测单元连接；所述MCU处理单元分别与防雷失效检测单元、控制模块、通讯模块和报警模块连接。电源管理单元设置的防雷失效检测单元能够实时地检测防雷保护电路是否正常工作，当检查到防雷保护电路的防雷保护功能失效时，防雷失效检测单元便会将这一信号传输给MCU处理单元，MCU处理单元便会启动报警模块报警，并将此信息传输给控制模块经远程告警网络接口传输到上位机。
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本发明提供了一种采用打线工艺封装的芯片的开封方法、应用和失效分析方法，涉及半导体技术领域，具体包括：先对封装芯片样品进行晶粒定位，并对晶粒对应的位置进行封装体减薄，然后通过预设配比的配置酸去除减薄后的所述封装芯片样品表面的环氧树脂，然后对晶粒进行表面清洗并晾干。这样，采用激光减薄封装体和的配置酸对采用打线工艺封装的芯片进行开封，通过一种配置酸即可开封目前市场上常见封装芯片样品，避免了因判断打线材质失误导致打线被腐蚀的问题，为后续有源区的失效分析提供了前提条件。
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本发明涉及燃料电池堆中的膜和电极失效的检测方法。一种确定燃料电池堆中的燃料电池内的膜失效的方法。所述方法包括:测量所述燃料电池堆中每个燃料电池的电压,从所述燃料电池堆内的所有所述燃料电池的电池电压来计算平均电池电压,以及从所述燃料电池堆内的所有所述燃料电池的电池电压中识别出最小电池电压。之后所述方法确定绝对δ电压值,该绝对δ电压值是采样周期内多个采样点处所述燃料电池的所述平均电池电压和所述燃料电池的所述最小电池电压之间的差值。针对低电流密度被滤波的在多个采样周期内确定的多个绝对δ电压值被用于确定是否存在膜失效,并且通过针对高电流密度滤波来确定是否存在电极失效。
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本发明公开了一种适用于硅胶封装的电子元件的失效分析的硅橡胶溶剂，主要包含如下质量分数的成分：40％至90％的C3～C6的乙二醇醚或C4～C7的丙二醇醚或乙二醇苯醚或丙二醇苯醚或上述醇醚化合物的一种至多种的混合物，按重量计5％至45％的N-甲基吡咯烷酮或N，N-二甲基甲酰胺或N，N-二甲基乙酰胺或上述酰胺化合物的一种至多种的混合物，1％～15％的氢氧化钾或氢氧化钠或上述其二者的混合物。本发明制备的溶剂具有腐蚀性低、选择性高、毒性低的优点，能够完全溶解固化的发光二极管封装硅橡胶，十分适用于硅胶封装的发光二极管的失效分析。
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本申请实施例提供了一种深水钻井隔水管失效分析方法及装置。其中，所述方法包括：获取所述隔水管中每个单元的单元强度概率密度函数、所述隔水管中每个单元所受载荷以及所述每个单元所受载荷的概率密度函数；根据所述每个单元的单元强度概率密度函数，得到该单元正常工作的概率；根据各个单元所受载荷的概率密度函数和各个单元正常工作的概率，得到所述隔水管的失效概率计算公式；根据所述隔水管中每个单元所受载荷和所述失效概率计算公式，得到所述隔水管的失效概率；判断所述失效概率是否大于预设失效概率，若判断结果为是，则发出预警信号。本申请实施例所提的技术方案具有简单实用的优点。
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本发明提供一种TEM样品的制备方法和失效分析方法，其在衬底上进行失效区的粗略定位后切出包含失效区的初始样品，再用TEM对初始样品中的具体失效点进行精准定位并减薄所述初始样品形成最终样品，即可供TEM电子穿透的TEM样品。如此一来解决了传统技术中FIB机台分辨率不足，无法对半导体内部厚度足够小的特定层的失效点精准定位，并制造出TEM样品的技术问题。
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本实用新型的一种用于失效分析的芯片背面减薄装置，包括壳体，载玻片和挡块，所述壳体中空且一端开口，所述载玻片设于所述壳体内，所述载玻片可在所述壳体内滑动，所述挡块设于所述壳体内，所述载玻片上设有与所述挡块相配合的凹槽。本实用新型的用于失效分析的芯片背面减薄装置有效的提高了芯片背面减薄后厚度的均匀性、减少返工时间；提高了芯片背面减薄的效率和成功率。
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本实用新型公开了一种用于芯片失效性分析的分离装置，包括支撑基板、刀片、用于带动刀片升降的升降调节器和芯片支撑架，所述芯片支撑架与支撑基板固定，芯片支撑架上设有至少一个用于放置芯片的芯片槽，刀片固定在升降调节器上，刀片的刃口朝向芯片槽，所述升降调节器与支撑基板滑动连接，以使升降调节器远离或靠近芯片槽。本实用新型提供了一种用于芯片失效性分析的分离装置，可以对芯片本体和基板进行快速分离，且操作简单方便，操作过程安全可靠。
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本发明提供了一种缺陷样品的制备方法及互连结构缺陷的失效分析方法，所述缺陷样品的制备方法包括：提供一具有待分析缺陷的半导体结构；在互连结构中形成一标记，标记与待分析缺陷间隔设置；研磨互连结构获得缺陷样品，其中，标记周围的互连结构在研磨过程中沿标记的侧壁出现分层状况，并通过光学显微镜观察根据分层状况判断互连结构的剩余层数以实现研磨过程的定位。本发明中，通过在待分析缺陷周围形成标记，且标记的侧壁暴露互连结构，利用研磨过程中对标记的侧壁的研磨程度的差异使得标记附近的互连结构出现分层状况，通过该分层状况以对该研磨过程实现准确定位，从而实现简便且高效的制备缺陷样品。
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一种电子产品失效率分析系统及方法,该系统包括:料号编码模块,用于根据电子产品资料产生该电子产品各个零件的料号编码规则,根据该料号编码规则制作电子产品资料的BOM表;零件分类模块,用于从产品BOM表中读取零件料号,根据料号编码规则对零件料号进行分类编码,及整理零件类型并计算各种零件类型的零件数量;失效率计算模块,用于依据各零件类型的参数公式计算各类型零件的单一失效率,及将各类型零件的单一失效率相加总计算电子产品的总失效率;报告产生模块,用于根据电子产品的总失效率产生电子产品寿命的预估报告。实施本发明,能够快速对BOM表内大量的零件料号进行分类,达到准确地计算产品失效率之目的。
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本发明提供了一种半导体结构的覆盖层剥除方法及半导体结构失效分析方法，涉及半导体结构失效分析技术领域，半导体结构的覆盖层剥除方法包括如下步骤：提供承载基板，将多个半导体结构固定连接在所述承载基板的上表面，且半导体结构的覆盖层位于主体的上方；对承载基板上的半导体结构的衬底进行离子注入，然后对离子注入后的衬底进行加热；去除破裂残渣；对剩余在主体上的衬底进行研磨，以去除衬底。本方案可以同时对多个半导体结构进行集中处理，离子注入与加热操作配合，使衬底开裂，达到去除衬底的绝大部分的效果，减少了对半导体结构的机械研磨时间，能够提高获取的主体的良品率。
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本实用新型的用于失效分析的封装基板包括：基板、设置在所述基板上的凹口、以及设置在所述基板上的至少两个导线圈，所述导线圈由内向外依次环绕在所述凹口外。本实用新型的用于失效分析的封装基板，电路结构简单，使用方便。
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本发明提供了一种系统失效分析方法，基于系统的多个安全目标，获取与第I个安全目标关联的元件的单点失效因子或残余失效因子，其中I为自然数。获取第I个安全目标关联的元件的单点失效因子或残余失效因子大于等于第一阈值的元件的元件失效模式集合。重复上述步骤直至获取系统的每一个安全目标关联的元件的单点失效因子或残余失效因子大于等于与其对应的阈值的元件的元件失效模式集合。对所有安全目标对应的元件失效模式集合求并集以获得系统的元件失效模式集合。本发明技术方案可以较准确的确定系统中对安全目标影响最为显著的元件及其高危的元件失效模式。
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一种钠冷快堆堆芯解体事故堆容器失效分析方法，步骤如下：1、采用欧拉方法对气‑液两相冷却剂建立质量守恒方程、动量守恒方程和能量守恒方程，采用拉格朗日方法对堆芯熔融物建立动量守恒方程和能量守恒方程；2、针对钠冷快堆堆芯建立流体计算区域和固体计算区域；3、步骤2中的固体计算区域和流体计算区域的接触面为耦合面；4、计算时根据步骤2中流体计算区域和固体计算区域初始时刻t0的参数，传递耦合面的参数，迭代计算得到流体计算区域下一时刻t1的状态参数，直到最后时刻，得到固体计算区域中堆容器的应力应变曲线。本发明的方法能综合评估钠冷快堆堆芯解体事故后，堆容器的失效情况，更加全面、有效地评估反应堆的安全性提供依据。
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本发明涉及基于多失效模式的秸秆揉碎机锤片式转子可靠性分析方法，包括：基于应力‑强度干涉模型分别构建锤片式转子疲劳断裂失效模式的功能函数、锤片磨损失效模式的功能函数、锤片式转子共振失效模式的功能函数；通过锤片式转子疲劳断裂失效模式的功能函数、锤片磨损失效模式的功能函数、锤片式转子共振失效模式的功能函数，确定其各自的边缘分布函数，进而计算多失效模式下秸秆揉碎机锤片式转子的可靠度，并进行多目标优化设计，得到最优解。本发明为秸秆揉碎机及相似机械的可靠性设计与后期维修策略的制定提供方法指导。
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本公开提供一种具有多个失效模式的飞机机构的可靠性分析方法及装置。该方法根据初始概率密度函数抽取N个样本点，并根据中间抽样密度函数和N个样本点抽取N个新的样本点；确定各个失效模式在N个新样本点处的N个响应值，并判断各个失效模式的响应值中是否存在至少预设数量个响应值小于预设值；对于响应值中存在预设数量个响应值小于预设值的失效模式，确定其失效概率；并根据初始抽样密度函数和未确定失效概率的失效模式建立新的中间抽样密度函数，并再次进行抽样以及确定响应值，直至确定所有失效模式的失效概率。本公开能够确定多个失效模式中每个失效模式的失效概率。
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本实用新型属于电力电子器件技术领域，涉及一种便于IGBT模块失效分析的拆解平台，包括平台框架，所述平台框架的顶部安装有千斤顶，所述平台框架的底部放置IGBT模块；所述IGBT模块的底板的四周固定有安装支架，所述安装支架的上方固定有安装板，所述安装板位于千斤顶的下方；所述IGBT模块的主电极、辅助电极均设置有电极保护块；通过引入千斤顶，利用杠杆原理，千斤顶通过安装板将压力传递到底板实现外壳与底板的完全分离，克服现有拆解过程中存在的效率低、人工投入成本大、二次损伤风险等问题，实现IGBT模块的快速、简洁拆装，为IGBT模块失效分析提供有力支撑。
本发明公开了一种基于ANSYS的MMC子模块压接式IGBT短期失效分析方法，包括以下步骤：步骤一、利用ANSYS的Simplorer得到MMC子模块压接式IGBT在工况下的损耗；步骤二、利用ANSYS的SpaceClaim，进行IGBT模型的建立；步骤三、通过ANSYS的Icepak以及Simplorer对步骤二得到的IGBT模型进行Foster网络的提取；步骤四、将步骤一计算得到的损耗，导入到步骤三提取的Foster网络中，得到IGBT内部各位置的实时温度变化情况。本发明能够抓住短时间尺度下MMC子模块压接式IGBT失效的主要因素，逐步得到工况下IGBT内部温度的精确分布情况。
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本发明提供了一种集成电路芯片的失效分析方法，在芯片中定位需要做电阻的两端布线，找到需要做电阻的目标位置中的一端，采用聚焦离子束对目标区域进行刻蚀，去除氧化层直至金属露出；找到需要做电阻的目标位置中的另一端，采用离子束对目标区域进行刻蚀，去除氧化层直至金属露出；通过聚焦离子束对两个目标位置之间的区域进行刻蚀，使得两个目标位置的露出金属之间区域形成一个沟道；用金属的气相前驱体以气相沉积的方式在所述沟道上沉积一条连接两端金属且与目标电阻阻值相同的金属线。本发明还提供了一套便于执行该方法的集成电路芯片的失效分析的系统。
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本发明涉及一种芯片失效分析过程中的剥层方法，包括如下步骤：(1)提供芯片，所述芯片具有多层结构，且包括至少一层目标分析层，所述目标分析层包括待分析区域；(2)利用离子束自所述芯片的表面开始进行剥层处理，去除所述目标分析层之上的一层或多层，露出所述待分析区域，即可，其中，所述离子束包括至少一束宽束离子束，束斑直径不小于1mm。该剥层方法，采用至少一束宽束离子束形成的离子束，可获得较为均一的剥层加工面，避免了单束的高能聚焦离子束直接打在芯片表面，造成目标分析区域的损伤，有效提高了剥层的精度，同时还扩大了加工范围，剥层效率高。
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