本发明公开了一种高铁电稳定性兼具超快速充放电、高储能效率的钛酸铋钠基陶瓷材料及制备方法,该陶瓷材料的通式为(1‑x)Na0.5Bi0.5TiO3‑xCaTiO3,式中x代表CaTiO3占总物质量的摩尔比,x的取值为0.1~0.25。该陶瓷材料通过配料、预烧、球磨、压片、无压密闭烧结等工艺步骤制备而成。本发明制备方法简单、重复性好、成品率高,所得陶瓷材料具有高的铁电稳定性(频率稳定性和循环稳定性)、极低的剩余极化强度,兼具极高的储能效率以及充放电表现,实用性强,易于生产,是一种性能优良的无铅铁电陶瓷,是在脉冲功率材料系统领域内的一种新型备选材料。
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一种利用硅灰石制备硅灰石微晶玻璃的方法,将硅灰石、SiO2、Na2O、B2O3、ZnO、Al2O3、MgO、K2O以及稀土氧化物混合均匀,然后采用无水乙醇调制成浆料,浆料经球磨混合均匀后烘干,然后进行熔制,得到玻璃粉;将玻璃粉与硅灰石粉末混合并压制成型,在950~1100℃下烧结1~4h,再650~1180℃下晶化处理2~6h,得到硅灰石微晶玻璃;本发明中硅灰石晶体呈棒状,长度为5~10um,且晶体生长均匀、长径比大,产品致密,强度较高,晶体之间呈互相穿插互锁,使得产品有较高强度。本发明原料成本低廉,来源广泛,微晶玻璃产品外观美观,经济价值较高。
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本发明公开的量子点敏化太阳能电池TiO2光阳极缺陷的修复方法:将乙基纤维素、聚乙烯醇及无水乙醇混合得到混合物;将TiO2(P25)粉末与混合物球磨混合得到TiO2浆料;将TiO2浆料通过丝网印刷的方式印刷在FTO导电玻璃基体上,用红外烘干后置于箱式电阻炉中,于空气气氛下进行热处理得到TiO2光阳极薄膜;将冷却处理后的钛酸四丁酯与无水乙醇混合均匀,得到钛酸四丁酯的无水乙醇溶液;将钛酸四丁酯的无水乙醇溶液旋涂于TiO2光阳极薄膜上,得到待处理薄膜;将待处理薄膜经红外烘干后于气氛炉中进行热处理,得到经过修复的TiO2光阳极薄膜。本发明的修复方法能修复TiO2材料表面和界面缺陷。
本发明公开了一种高击穿场强、高光电流密度的铌酸钠基无铅铁电陶瓷材料及其制备方法,该陶瓷材料的通式为(1‑x)NaNbO3‑xBa(Nb0.5Ni0.5)O3‑σ,式中x代表Ba(Nb0.5Ni0.5)O3‑σ占总物质量的摩尔比,x的取值为0.1~0.4。该陶瓷材料通过配料、预烧、球磨、压片、无压密闭烧结等工艺步骤制备而成。本发明制备方法简单、重复性好、成品率高,所得陶瓷材料具有光伏特性、光响应电流高,同时具有高的居里温度、高的极化强度和介电击穿强度,实用性强、易于生产,兼顾光伏特性和陶瓷电容器的储能特性,是一种性能优良的多功能无铅铁电陶瓷,是铁电光伏电池的一种新型备选材料。
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一种利用贫铝矾土制备页岩气专用压裂支撑剂的方法,将贫铝矾土和高活性复合型烧结助剂放入球磨机中湿磨形成混合泥浆,以混合泥浆为包覆液采用流化床喷雾造粒机一次造粒,以焦炭湿磨后形成的粉炭浆作为包覆液二次造粒,两次成型,把成球后的颗粒放入坩锅中,并置于电炉中超低温自蔓延烧结并自然冷却后取出,即得页岩气专用压裂支撑剂。该方法开发利用了贫铝矾土资源,原料来源广泛,种类少,配料简单,而且自蔓延烧成温度低,烧成周期短,节约能源,低碳环保,提高了产品的综合性能;采用的成型方法能耗小、生产过程简单易控,产品质量稳定;制备的支撑剂密度低,强度高,具有耐高温、耐腐蚀的优良特性。
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本发明公开了一种耀变金星釉的制备方法,属于陶瓷制造技术领域,包括以下步骤:1)按质量百分比称取硼砂、石英、碳酸钙、无水碳酸钠、无水碳酸钾、氧化镁、氧化铝和碳酸锂混合后高温煅烧,水中淬冷后得到熔块;2)按质量百分比称取硼钙熔块、石英、长石、方解石、着色剂、磷酸钙和高岭土混合后得混合釉料;3)将混合釉料经湿法球磨后,细磨至250目得到釉浆,调节釉浆比重为1.6~1.7g/cm3;4)将釉浆均匀的施敷在坯体上,升温至1100~1220℃,保温20~30min,当温度下降100℃后,再保温30~40min后,随窑冷却得到耀变金星釉。本发明制得的釉产品无毒无辐射,强度高,制备工艺简单,原料成本低,能广泛应用于日用瓷、建筑瓷与艺术瓷等,有较好的工业规模生产应用前景。
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本发明公开了一种石墨烯涤纶复合材料母粒的制备方法,具体包括如下步骤:步骤1,称取氧化石墨烯8‑12份、分散剂0.2‑1份,偶联剂5‑8份,增塑剂3‑6份;步骤2,将所述步骤1称取的各组分混合均匀,加热后进行压滤,得到石墨烯混合物;步骤3,将所述步骤2的石墨烯混合物与涤纶颗粒通过球磨混合,过筛后得到石墨烯涤纶复合材料母粒;本发明还公开了一种石墨烯涤纶纤维的制备方法;本发明制备的石墨烯涤纶纤维的制备方法具有良好的断裂强度和导电性能。
含Na0.9K0.1NbO3晶相的高介电硼酸盐玻璃陶瓷材料,该材料的制备方法为:首先采用了K2CO3、Na2CO3、Nb2O5及H3BO3为原料,按化学式0.9((1‑x)K2O‑xNa2O)‑2Nb2O5‑0.1B2O3(0.00≤x≤0.50)配比取料,粉体通过机械球磨混合均匀,退火;经过熔融、冷却成型和退火得到玻璃块体,并通过在800oC保温2h晶化处理制得玻璃陶瓷材料。本发明制备工艺简单,原料价格低廉,制作成本低,室温能够获得线性的电滞回线,储能密度最高达到1.68J/cm3,介电损耗低于0.04,在120oC高温下保证储能效率在96%以上。
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本发明公开了一种氧化铝/铝基可溶复合材料,所述Al2O3/Al基可溶复合材料由可溶铝合金及Al2O3相组成。本发明利用原料金属粉末球磨后,原位反应生成Al2O3。这种复合粉体经结后形成晶相为Al2O3/Al的复合材料。由于该材料的制备工艺简单,烧成温度低,结构均匀致密,制备成本低。拓宽了该材料的应用领域,具有实用性。
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本发明公开了一种具有储能和光伏效应的铌酸钠基无铅铁电陶瓷材料及其制备方法,该陶瓷材料的通式为(1‑x)NaNbO3‑xLa(Mn0.5Ni0.5)O3,式中x代表La(Mn0.5Ni0.5)O3占总物质量的摩尔比,x的取值为0.05~0.2。该陶瓷材料通过配料、预烧、球磨、压片、无压密闭烧结等工艺步骤制备而成。本发明制备方法简单、重复性好、成品率高,所得陶瓷材料具有光伏效应,具有高的储能密度和储能效率、高居里温度和介电击穿强度、超快的充放电速度,其中x值取0.05时具有最高有效储能密度和储能效率,分别为1.77J/cm3和77.5%,介电击穿强度为200kV/cm、充放电速度t0.9小于50ns;x取值0.2时获得最大短路电流密度,Jsc为60nA/cm2,此时开路电压Voc为0.71eV。
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一种高饱和度非晶光子结构色釉及其制备方法,包括以下步骤;按质量比取60%的长石、20%的石英、15%的方解石、2%的滑石、3%的高岭土作为基础釉,加入基础釉总质量2‑12%的Ca3(PO4)2作为分相促进剂,0.8%的羧甲基纤维素钠和0.3%的多聚磷酸钠作为分散剂,同时,引入基础釉总质量5‑30%的高温吸光剂,混匀后得到混合釉料;将混合釉料经湿法球磨,并调节釉浆比重为1.60‑1.70g/cm3,采用蘸釉法将釉浆均匀地施敷在陶瓷坯体上;施釉坯经干燥后放入电炉中烧制,冷却阶段,增加中火保温过程,最后,随炉冷却至室温得到高饱和度非晶光子结构色釉。本发明通过高温吸光剂的引入,既不会破坏釉层中的非晶光子结构,又可以吸收非相干散射光,提高非晶光子结构色釉的色饱和度。
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本发明公开了一种用于光固化的金属材料,包括体积比为9 : 11?4 : 1的金属粉末和丙烯酸酯树脂,还包括助剂;助剂包括自由基光引发剂、分散剂和消泡剂。其制备方法为:将金属粉末、辅助添加剂和分散剂混合,球磨混合均匀;再将球磨后的材料和消泡剂加入树脂中,并避光加入自由基光引发剂,混匀后避光、静置,待气泡完全消除后得到可以用于光固化的金属材料。本发明的金属材料利用紫外激光使树脂固化时实现金属粉末的成形,可用于复杂金属零件的无烧损、变形成形。
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本发明属于电介质储能陶瓷电容器领域,涉及一种无铅NBT基陶瓷材料,化学式为:(1‑x)(Na0.5Bi0.5)TiO3‑xBi(Mg2/3Nb1/3)O3,其中x为Bi(Mg2/3Nb1/3)O3的摩尔百分数,且0.1≤x≤0.5。按化学式配取Bi2O3、Nb2O5、Na2CO3、TiO2及MgO,通过球磨后混合均匀,烘干、过筛、压块,再经750~850℃预烧3~5小时,得到块状固体,然后将块状固体粉碎后过筛,得到预烧粉体;将预烧粉体球磨后烘干,过筛后获得原料粉体;将原料粉体进行冷等静压,等静压压制成片状后,烧结成瓷,得到该无铅NBT基陶瓷材料。提高钛酸铋钠基陶瓷材料的储能特性和温度稳定性。
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本发明公开了一种SiC光子晶体的制备方法,将SiC粉末、硼粉、碳粉、乙醇及分散剂加入球磨机中进行球磨、解离;将上述固体粉末加入光固化单体中,再加入分散剂,并在避光条件下加入自由基光引发剂,搅拌均匀,得到悬浮液;最后在悬浮液中加入消泡剂,获得均匀、无气泡悬浮液;将悬浮液加入光固化成形设备中,按照光子晶体结构的三维模型数据,利用紫外光对悬浮液进行分层固化,制备出生坯结构;最后将生坯进行脱脂和烧结处理,得到结构致密的SiC光子晶体。本发明的制备方法摆脱了结构的限制,可以按需对晶体结构进行设计,并且很大程度上缩减加工时长以及制造成本。
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本发明公开了一种快速制备半导体材料三维亚微米级花状结构氮化铝的方法,采用商用铝粉作铝源、氮化铝粉作稀释剂、氯化铵作催化剂,将原料球磨活化后在较低氮气气氛下进行燃烧合成,制备出的白色亚微米级花状结构氮化铝粉末。本发明首次利用燃烧合成法合成出形貌可控的氮化铝亚微米花,该方法工艺简单、重复性好、时间短、成本低、对环境没有污染。本发明制备的氮化铝亚微米花状结构材料在发光二极管,激光器,微/纳电子器件等方面具有广泛有前景。
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本发明公开了一种氮化硅多孔陶瓷组方及制备方法,按重量百分比,包括下述组分:氮化硅粉末50~70%、膨润土5~30%、烧结助剂0~10%、水20~30%。烧结助剂包括Y2O3、Al2O3或MgO至少一种;将上述除水以外的组分称量,置于球磨机中干法混磨,得到混合粉末,然后将混合粉末置于轮辗机轮碾捏合,得到泥料;将泥料放入挤压机里进行挤压成形得到成形体;再将成形体烘干后放入气氛炉中,在氮气下以10度/分的升温速度加热到1700-1850度,在氮气压力为1-6个大气压下保温1~3小时烧结,即获得烧结体。本发明的氮化硅多孔陶瓷可广泛应用于高温及腐蚀性气氛下的气体分离用过滤器的基体,发电用燃气轮机、发动机、航天飞机等使用的耐热或强化材料等。
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本发明公开了环保杀菌型空气净化材料的制备方法,制备方法包括以下步骤:(1)将锆英砂、镧系稀土、火山泥、硫化锌和纳米银粉破碎后混合于球磨机中进行研磨,使各材料的混合粉末颗粒粒径至600目;(2)接着将活性炭或纳米LDHS中的一种与纳米氧化铈或铈锆固溶物中的一种组成混合物;(3)将纤维网进行含炭整理,针刺复合,除尘滤烟整理;(4)在混合粉末中加入聚乙烯醇溶液造粒成管状或扁平状物体冷却后,放入球磨机研磨后得到环境净化材料。本发明净化材料具有空气阻力小,杀菌、实用、吸附、安全、过滤效率高、任意成型等特点,适合于各种各样的空间和场所的空气治理,能够吸收空气中的苯、氨、醛等有害气体并能杀菌、去除异杂味气体。
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一种金属增韧碳化硅基复合陶瓷及制备方法,按重量百分数,包括碳化硅粉末30%~40%、纳米氧化钛粉末5%~20%和硅铝合金40%~50%以及2%~8%的PVB有机粘接剂,先将碳化硅粉末、纳米氧化钛粉末两种原料用无水乙醇作为分散剂湿法球磨制备成混合粉末、干燥并加入PVB有机粘接剂造粒,然后压制成生坯,放入烘箱干燥固化,最后排胶将熔融的铝合金液倒入放置预制体的模具内浸渗,冷却后与模具分离,然后将铸块重新熔化除去多余的铝合金得到复合陶瓷,本发明结合反应烧结和压力浸渗的方法制得生坯后通过压力浸渗工艺,在浸渗过程中同时完成浸渗和颗粒的结合,利用金属改善陶瓷韧性,是一种相对简单的工艺方法。
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本发明公开了一种高击穿的多铁性陶瓷,其化学计量式为(1‑x)BiFeO3‑xLaAlO3。本发明还公布了该陶瓷材料的制备方法,将LaAlO3添加到BiFeO3中,通过球磨、烘干、压块、过筛、冷等静压和烧结得到(1‑x)BiFeO3‑xLaAlO3陶瓷样品。本发明提供的高击穿的(1‑x)BiFeO3‑xLaAlO3陶瓷材料制备工艺简单,材料成本低,绿色环保,提供了一种高击穿的多铁性陶瓷基体。
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本发明公开了一种高强度瓷砖粘结胶及其制备工艺,配方包括:水泥、石英砂、高炉渣、羟丙基甲基纤维素、甲酸钙、乳胶粉、淀粉醚、减水剂和憎水剂,各组分的重量份数分别是:300‑350份的水泥、600‑630份的石英砂、20‑50份的高炉渣、2‑5份的羟丙基甲基纤维素、3‑6份的甲酸钙、10‑20份的乳胶粉、0.5‑1份的淀粉醚、1‑2份的减水剂和1.5‑3份的憎水剂,该发明利用少量高炉渣替代石英砂,节约了成本,同时实现了废弃炉渣的再利用,通过将高炉渣破碎之后进行球磨分级,球磨之后在进行筛分,有利于高炉渣和其他配料的充分混合,通过减水剂和憎水剂的混合运用,减少了瓷砖粘结胶中水的用量,提高了强度,同时提高了瓷砖粘结胶的防水性和抗渗性。
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本发明涉及一种钒掺杂锆酸钙无机颜料及其制备方法,首先按碳酸钙:氧化锆:五氧化二钒=1:(1-x):x的摩尔比计,取碳酸钙、氧化锆和五氧化二钒混合得到混合物,其中0<x≤0.4;将混合物进行干法球磨混合均匀,然后在1400~1700℃煅烧,待其冷却后,再将其球磨成粉体,得到钒掺杂锆酸钙无机颜料。本发明所制备的钒掺杂锆酸钙无机颜料具有良好的红外反射性能,能够有效的反射太阳光的能量,同时钒元素的掺杂有助于改善锆酸钙的呈色性能,颜料呈现出黄色,有效解决耐脏性不够的问题。本发明生产设备主要为球磨机和烧制电炉,设备投入少、制作工艺简单且易于操作,因此适合工厂大规模工业化生产。
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一种中高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法,该微波介质陶瓷材料的化学通式为Ca(Fe,Nb)1-x/2TixO3,将CaCO3、TiO2混合,经湿式球磨,得到样品A;将CaCO3、Nb2O5、Fe3O4混合,经湿式球磨,得到样品B;将样品A、B混合,经过湿式球磨,烘干得混合粉末C,向混合粉末C中加入聚乙烯醇水溶液,并进行造粒,过筛,干压成型,在空气气氛下烧结。本发明制备方法简单,周期短,适合大批量生产;本发明制得的陶瓷材料可用作微波介质材料,致密度在97%以上;且在保持中高介电常数的同时具有很高的材料品质因数,以及稳定的温度系数,该微波介质陶瓷材料具有中高介电常数以及近零谐振频率温度系数。
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本发明公开了一种钽及钽合金零件的制备方法,将钽粉末或者钽合金粉末、分散剂加入球磨机中进行解离、球磨;将球磨后的钽或钽合金粉末加入光固化单体中,再加入分散剂、消泡剂,并在避光条件下加入光引发剂,搅拌均匀,得到混合好的浆料;将混合好的浆料加入光固化设备,利用紫外线光束,通过面曝光或点扫描方式,按照三维模型逐层、逐点打印制成钽及钽合金零件生坯;最后将所制生坯放入烧结炉中进行脱脂和热等静压处理,获得钽及钽合金零件。本发明的制备方法采用光固化成形技术,可制备出任何复杂形状的零件,避免对模具的依赖性,缩短加工时长,减小制造成本,提高钽及钽合金零件成形的效率。
一种高温度稳定性高介电常数低损耗的介电陶瓷材料、制备方法及应用。一种高温度稳定性高介电常数低损耗的介电陶瓷材料。制备方法为:将BaTiO3、Na0.5Bi0.5TiO3和Ba2NaNb5O15粉体按化学式(1‑x)(0.85BaTiO3‑0.15Bi0.5Na0.5TiO3)‑xBa2NaNb5O15配比取料,对粉体进行湿法球磨混合,干燥后的粉体在1000℃下预烧2h,再经过二次球磨、过筛和成型,最终在1250℃温度下烧结2h得到了所需介电陶瓷材料。随着Ba2NaNb5O15掺入量的增加,材料的温度稳定性得到明显的提高,当x=0.007时,样品在‑50oC到150oC之间的容温变化率在
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本发明公开了一种基板用高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法,属于电子陶瓷及其制备领域。该微波介质陶瓷的化学组成为:(1-x)(1-y)SrO-(1-x)yCaO-x/4Li2O-x/4Pr2O3-TiO2,其中,0.70≤x≤0.80;0≤y≤0.30。本发明采用简单有效的固相反应烧结的方法来制备,首先是选取合适比例的配方,选取合适的初始氧化物,通过一次球磨使得各种氧化物混合均匀,通过预烧结过程使得氧化物进行初步的反应,通过二次球磨细化反应物的颗粒尺寸,最后通过烧结过程得到所需要的陶瓷样品。通过这样一种简单易行的有效的制备方法,得到的陶瓷样品的介电常数随成分在122.4~148.4之间变化,Qf分布在1, 170GHz~2, 160GHz,谐振频率温度容易调控(-108ppm/℃~+77ppm/℃),烧结温度1350℃。
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本发明涉及无机材料中的压电厚膜的制备方法,公开了一种锆钛酸钡和铌酸钾钠复合的无铅压电厚膜的制备方法。它包括以下步骤:(1)按照BaZr0.5Ti0.95O3的化学计量比,制备锆钛酸钡先驱体溶胶;(2)按照K0.5Na0.5NbO3的化学计量比分别称取碳酸钾、碳酸钠和五氧化二铌,混合球磨、干燥、压片、烧结,再经破碎、球磨,制备微纳米级铌酸钾钠粉体;(3)将微纳米级铌酸钾钠粉体与锆钛酸钡先驱体溶胶混合,其中铌酸钾钠的质量含量为40%~70%,制备稳定的混合浆料;(4)重复旋涂工艺-热处理工艺,得到锆钛酸钡和铌酸钾钠复合的无铅压电厚膜。
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本发明公开了一种Co基温度稳定型微波介质陶瓷及其制备方法,属于电子陶瓷及其制备领域。该陶瓷的组成表述为(1-0.5x)TiO2-(1-0.5x)CoO-0.5xNb2O5,其中0.5≤x≤0.75。本发明采用了最简单有效的固相反应烧结的方法来制备,首先是选取合适比例的配方,选取合适的初始氧化物,通过一次球磨使得各种氧化物混合均匀,通过预烧结过程使得氧化物进行初步的反应,再通过二次球磨细化反应物的颗粒尺寸,最后通过烧结过程得到所需要的陶瓷样品。通过这样一种简单易行的有效的制备方法,得到的陶瓷样品的介电常数随成分在31.3~42之间变化,Qf分布在40, 900GHz~42, 300GHz,谐振频率温度系数近零且易调控(-16ppm/℃~+18ppm/℃),烧结温度1250℃~1340℃。
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本发明公开了一种Ti基高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法,属于电子陶瓷及其制备领域。该陶瓷材料结构表达式为:0.9(1-x)SrO-0.1(1-x)CaO-x/4Li2O-x/2CeO2-TiO2,其中0.70≤x≤0.80。本发明采用了最简单有效的固相反应烧结的方法来制备,首先是选取合适比例的配方,选取合适的初始氧化物,通过一次球磨使得各种氧化物混合均匀,通过预烧结过程使得氧化物进行初步的反应,通过二次球磨细化反应物的颗粒尺寸,最后通过烧结过程得到所需要的陶瓷样品。通过这样一种简单易行的有效的制备方法,得到的陶瓷样品的介电常数随成分在140~158之间变化,Qf分布在1, 350GHz~1, 640GHz,谐振频率温度系数近零且易调控(-80ppm/℃~+80ppm/℃),烧结温度1350℃。
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本发明公开了一种高品质因数中K值微波介质陶瓷及其制备方法,该陶瓷材料结构表达式为:(1+0.4x)TiO2-(1-x)CoO-0.2xNb2O5-0.2xNiO,其中0.8≤x≤0.9。本发明采用固相反应烧结的方法来制备,首先是选取合适比例的配方,选取合适的初始氧化物,通过一次球磨使得各种氧化物混合均匀,通过预烧结过程使得氧化物进行初步的反应,通过二次球磨细化反应物的颗粒尺寸,最后通过烧结过程得到所需要的陶瓷样品。通过这样一种简单易行的有效的制备方法,得到的陶瓷样品的介电常数随成分在26.5~33之间变化,Qf分布在28, 890GHz~32, 430GHz,谐振频率温度系数近零且易调控(-13ppm/℃~+24ppm/℃),烧结温度1250℃~1320℃。
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