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本发明涉及半渗透膜的生产,用于分离工艺的半透膜的专用制备方法。它通过模压或冷等静压,将Ti、Al元素粉末直接与Ti箔或Al箔复合成形片状或管状坯,或者先通过模压或冷等静压将Ti、Al元素粉末成形为片状坯或管状坯,然后通过Al液表面熔浸的方式制成复合成形坯;再通过低温预反应和高温短时反应两阶段真空烧结合成法,制备TiAl金属间化合物孔径梯度均质支撑体,随后,在其表面,采用化学或物理气相沉积(CVD或PVD)的方式,均匀镀上一层钯基合金膜,厚度为5～50μm。由此制得的膜具有良好的抗氧化性能、抗腐蚀性能和力学性能,提高了氢分离膜的渗透通量和使用寿命;其TiAl支撑体还可直接用作性能优异的微滤膜和纳滤膜。本发明制备过程不需要添加造孔剂,降低了能耗,几乎无污染。
1063
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本发明提出一种抑制锂硫电池穿梭效应的正极材料及制备方法，所述正极材料是将三维多孔框架的碳基材料、氧化镍和氧化钕粉末均匀混合，接着低温处理后真空烧结，得到硝酸钕铁电材料，然后通过硫化氢将碳基材料还原同时将单质硫负载在碳基材料表面而制得。本发明提供的硫电池正极材料在应用中，通过将硫固定在框架内部，通过其强极性自发吸附中间产物极性多硫化物，有效避免了正极材料流失的问题，抑制了穿梭效应，得到的锂电池的电学性能优异，具有广阔应用前景。
904
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本发明公开了一种四元系镁基储氢合金、其生产方法及应用，四元系镁基储氢合金由Mg1.5－2Al0.02－0.08Ni0.5－1.0A0.05－0.1组成，其中A为V、Ti、Fe、Nd、Pd，显微组织中分布有弥散的纳米晶团簇和非晶团簇。合金元素粉末经充分混合后压制成片状，然后在真空烧结炉内进行烧结，得到的合金样品进行粉碎、球磨、筛选，得到粒度＜25μm以下的合金粉末；称取少量的微细Ni粉进行球磨，得到纳米晶Ni粉；把粒度＜25μm以下的Mg1.5－2Al0.02－0.08Ni0.5－1.0A0.05－0.1合金粉末和纳米晶Ni粉及第二相活性粒子充分混合后进行高能球磨，得到具有纳米晶和非晶组织的活性储氢合金材料，经过活化后得成品。成品具有吸/解氢温度低、性能稳定、具有实用性，价格便宜的特点。
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本发明属于硬质合金制造领域，具体涉及一种基于3D打印的梯度硬质合金及其制备方法。该梯度硬质合金通过3D打印成型技术获得所需要的梯度结构硬质合金毛坯，然后经过真空烧结处理，制备得到表面具有梯度结构的梯度硬质合金。表面的梯度结构为钴含量从表面到芯部逐渐降低的富粘结相梯度层，该梯度层内钴含量显著高于合金芯部中标称钴含量。芯部钴含量为均匀分布且等于其标称含量。本发明结构设计合理，制备工艺简单可控，生产成本较低，可大规模的工业化生产和应用。
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本发明提供了一种碳纳米管复合薄膜场发射阴极的制备方法，包括：S1、制备碳纳米管/TiC/Ti复合材料；S2、将碳纳米管/TiC/Ti复合材料和纳米填充颗粒按质量比5：1-1：5混合，混合物加入到有机溶剂中，并采用超声进行分散，形成第一浆料；S3、在银电极上移植第一浆料，形成碳纳米管复合薄膜；S4、在200°C-600°C的温度下，将碳纳米管复合薄膜放入烧结炉进行真空烧结或还原气氛烧结，其中，烧结时间在15分钟以上；S5、利用腐蚀剂腐蚀除去碳纳米管复合薄膜烧结后表面的Ti，露出碳纳米管/TiC发射尖端，并形成碳纳米管复合薄膜场发射阴极。该方法制备的碳纳米管复合薄膜场发射阴极结构增强了碳纳米管发射体与基体粘附力和电接触、改善了场发射性能。
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本发明提供了一种电磁波屏蔽复合材料的制备方法，包括以下步骤：一、在陶瓷板表面刻蚀出网状凹槽；二、将金属纤维置于网状凹槽内；三、将置于网状凹槽内的金属纤维真空烧结得到金属纤维网；四、将环氧树脂与固化剂配制为聚合物溶液；五、将聚合物溶液注入模具中，静置至聚合物溶液固化为粘稠胶体后将金属纤维网插入粘稠胶体内，然后继续静置至聚合物溶液完全固化，得到电磁波屏蔽复合材料。本发明制备工艺简单，设计新颖合理，投入成本低，可操作性强；采用本发明制备的电磁波屏蔽复合材料由金属纤维网和聚合物组成，金属纤维网与聚合物之间结合良好，而且金属纤维网中烧结结点的形成使电磁波屏蔽复合材料具有优良的电磁屏蔽效能。
1100
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本发明公开了一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法，包括以下步骤：1)按照体积配比，选取45～70％的SiC粉末，5～15％的ZrO2粉末，10～30％的Al2O3粉末，10～30％的构成玻璃体系复合氧化物粉末，混合均匀，过200目筛储存备用；2)按照粉料重量：PVA重量＝95 : 5的比例加入8％固含量的PVA，手动混合均匀后，过80目筛，在80MPa压力下压制形成生坯；3)将生坯放入空气炉中进行烧结，升温速率为5℃/h，升温至450℃，保温12h；4)将排胶后的生坯放入真空烧结炉中，填充Ar，升温至1600～1800℃进行烧结，保温时间为1～3h，升温速率为5℃/min。本发明制备得到的SiC半导体复合材料具有发火电压低，火花能量大、不受气压和环境介质的影响，耐热冲击、耐电火花的腐蚀，熄灭再启动、高空性能好等优良性能。
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本发明属于触头材料制造领域，具体涉及一种铜铬触头材料的制备方法。所述方法步骤如下：先将一部分铜粉作为诱导铜粉与铬粉混合，在真空条件下，球磨得到球磨粉，再加入剩余铜粉，混合均匀，得到混粉；然后将混粉压制成坯，将压坯放入坩埚中，上面放置紫铜片，然后将坩埚放入真空烧结炉中烧结、熔渗，退火后得到一种铜铬触头材料；所述材料中铬的含量为25～50wt％。通过固相烧结和液相渗铜制备出的铜铬触头材料金相组织均匀，Cr颗粒成近球形且尺寸较小，材料致密性好，气体含量低。
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本发明提供一种折叠法制备大尺寸烧结毡的方法，包括以下步骤：S1、将连续的不锈钢纤维毡按照风琴式折叠法折叠成多层结构，相邻层的不锈钢纤维毡之间放置层间压板，顶部和底部也盖上层间压板；S2、将折叠好的不锈钢纤维毡与层间压板一起放入箱式真空炉的炉体中，在不锈钢纤维毡的两侧设置侧压板；S3、不锈钢纤维毡在炉体中进行真空烧结，冷却后得到烧结毡；S4、将烧结毡从炉体中取出，并用辊压机进行辊压，再裁剪成设计的尺寸。本发明利用折叠法将不锈钢纤维毡折叠成多层结构，可以整体进行真空烧结，从而实现了大尺寸烧结毡的制备。
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本发明公开了一种提高钕铁硼毛坯内禀矫顽力一致性的热处理方法，包括以下具体步骤：步骤一，在充氮气的手套箱内将已取向成型的钕铁硼压坯装进石磨盒，石磨盒加盖，推入真空烧结炉进行烧结；步骤二，烧结结束后，先将磁体自冷至550~850℃，然后保温0.5~3h，再升温进入一级时效阶段；步骤三，一级时效结束后，先将磁体风冷至75~85℃，再升温进入二级时效阶段；步骤四，二级时效结束后，将磁体风冷至75~85℃出炉，出炉后揭去石磨盒盖子，用风机将磁体吹冷至35~45℃，得到钕铁硼毛坯。通过本发明热处理方法制得的同炉次的钕铁硼毛坯间内禀矫顽力一致性有明显的提升，同时本方法可有效缩短毛坯的热处理时间，从而降低生产成本及设备能耗。
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本发明涉及一种颗粒增强金属基复合的制备方法，属于抗耐磨材料制备技术领域。本发明所述方法通过添加金属粉末Ni、Ni?Fe、Co、Co?Fe、W?Fe中的一种来改善颗粒增强金属基复合材料的性能，将增强颗粒、基体金属粉末、金属粉末球磨混粉后压实得到预制坯，真空烧结后最终得到颗粒增强金属基复合材料；合金粉末的添加量占预制坯的质量分数分别为5%~20%。本发明所述方法制备得到的复合材料的力学性能显著改善，为钢材、冶金、矿山等耐磨领域、激冷激热工况零件或者其他研究复合材料性能的研究者提供参考。
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本发明涉及一种磁铁的制备方法，尤其是涉及一种废料循环利用的高磁性能钕铁硼磁铁及其制备方法。其主要是解决现有技术所存在的钕铁硼磁铁在烧结时各成分分布地不均匀，烧结时坯料的受热也不均匀，因此生产出来的钕铁硼磁铁的磁力分布不均，磁性能较低等的技术问题。本发明将各组分粉料投入到真空速凝炉中进行铸片，再将铸片送入氢碎炉进行氢碎处理，然后将氢破粉送入到自动磁场压机中在磁场强度为1.4‑2.0T的取向磁场下压制成型、等静压处理，将成型后的坯料放入到真空烧结炉中进行三段烧结，最后将烧结后的坯料放入到磨床进行双面磨，经光坯检验后进行线切割，然后经过成型磨成型，经黑片检验、成品检验后即出高磁性能钕铁硼磁铁。
850
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本发明公开了一种半导体集成电路芯片焊接的方法，该方法工艺流程是将管基放在真空烧结炉内，接着将焊料片置于管基的相应位置，再将芯片放在焊料片正上方，之后开启保护性气体，进入焊接程序，开启冷却气体，焊接程序结束并冷却后打开真空烧结炉，取出产品，焊接完成。本发明方法由于减小了焊料片的面积，节约了成本，而且芯片周围的焊料是在合金焊接的过程中溢出的，而不是在合金焊之前就存在；采取在高温阶段打开冷却气体，使得焊接系统的各向同性比较好，从而使芯片底部的焊料均匀地溢出到芯片边缘。适用于半导体集成电路生产（后道封装）过程中芯片的焊接。
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本发明公开一种组织均匀银镁镍合金电接触材料的制备方法，包含以下步骤：1)将银粉、银镁合金粉、镍镁合金粉进行混合；2)冷等静压成型；3)将等静压成型锭子进行特殊工艺真空烧结；4)真空自耗电弧熔炼；以及5)成型、内氧化，制备银镁镍合金材料。本发明方法制备的银镁镍合金电接触材料具有低熔点组元成分可靠、高熔点组元细小弥散分布且有效减少材料的含气量以避免成品起泡的效果，能够全面提升成品合金材料的综合性能。
本发明公开了用于钛合金粉末注射成型的粘结剂以及注射成形钛合金零件的方法，属于钛合金零件加工的技术领域。本发明要解决现有注射成形钛合金零件存在脱脂过程中易变形，注射及脱脂过程中存在气泡飞边等缺陷。所述粘结剂是由单独包装的组分A和组分B组成，组分A由聚丙烯和低密度聚乙烯组成，组分B由石蜡、硬脂酸和萘组成。本发明方法：一、将Ti6Al4V钛合金球形粉末放入混炼机中进行保温预热，在保温条件下将组分A分三批等量等时间间隔加入混炼机中；二、然后将温度降低50℃后保温，将组分B分三批等量等时间间隔加入混炼机中，调整转速后进行混炼，再降低温度至呈现出牙膏状时进行挤出制粒，再依次进行注射成形、脱脂和真空烧结，即得到钛合金零件。本发明用于制备钛合金零件。
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本发明公开了一种低钨含量的粉末冶金闸片，包括如下组分：铜粉；钨粉；铁粉；镍粉；锰粉；锡粉；钛粉；氧化钛；氧化硅；碳化硅；石墨；本发明还提供了上述闸片的制备方法，将各组分按重量百分比计量后，放入V型混料机内搅拌，充分混合后；将混合均匀的粉体放入模具内压制成型；将压制的坯料装入石墨模具放置在钟罩式真空烧结炉，采用高纯氩气作为保护气进行烧结；待冷却后，将样品从真空烧结炉中取出，取出的样品表面会残留少许石墨纸，用砂纸将样品表面打磨后，即得低钨高摩擦性能稳定性粉末冶金闸片。根据本发明，使得该闸片的摩擦性能稳定性高。
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本发明涉及一种高综合性能的硬质合金刀具材料及其制备方法。由以下质量份的原料组成WC65‑90份、Al2O3 5‑30份、Co3‑10份、Y2O3 0.5‑2份。制备工艺为：将所有原始粉末分别装入球磨筒中，分别进行球磨，混合后再球磨；将球磨后的全部组份的混合料放入真空干燥箱中进行干燥，将过筛后的粉体封装待用；装入高强度石墨模具中，然后放入真空烧结炉中；在真空气氛下，用29min升至1450℃，在此温度下施加压力32MPa、保温30min的条件下热压烧结成型。本发明制备的刀具材料具有优异的综合力学性能，在保持高抗弯强度和高断裂韧度同时提高硬度。
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本发明涉及稀土永磁材料制备技术领域，特别涉及一种高耐蚀性烧结钕铁硼磁体及其制备方法，所述的方法包括将碳化硅粉体分散到乙醇中形成分散液，采用雾化喷射将所述分散液添加到钕铁硼粉末中，形成混合浆料；将装有混合浆料的模具在1.5‑3T的磁场中充分取向，然后真空烘干以去除乙醇，得到初坯，随后将所述初坯放入液压装置中进行冷等静压，形成压坯；将所述压坯放入真空烧结炉中烧结成型，热处理，得到钕铁硼磁体；本发明通过向钕铁硼粉体中掺入碳化硅粉体，经真空烧结处理后，由于碳化硅的存在，显著的提升了钕铁硼磁体的耐腐蚀性能，并且基于本发明的制备工艺，确保了钕铁硼磁体具有较好的磁性能。
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本发明涉及粉末冶金领域，提供了一种高强高导粉末冶金铜铁合金的制备方法。工艺步骤包括将雾化铜铁合金粉和铜磷合金粉混合，通过冷等静压、真空烧结及随后的变形加工制备板带及棒丝状铜铁合金。本发明目的在于提供一种制备低氧含量、晶粒细小、铁相细小且分布均匀同时具备良好加工性能的高强高导粉末冶金铜铁合金，以解决传统熔炼法制备铜铁合金成分偏析、晶粒粗大、加工性能差，以及传统粉末冶金铜铁合金氧含量高、烧结温度高及固溶的铁相难以析出等问题。本发明技术易于实现大规模工业化生产，在5G通信、3C电子产品及轨道交通等领域具有重要应用前景。
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碳化物陶瓷防弹板材料及其陶瓷防弹板的制造 方法，它涉及一种高性能碳化物陶瓷防弹板材料及其陶瓷防弹 板的制造工艺。本发明各成分质量百分比分别为碳化硅和碳化 硼粉末占70～92，Al－Y系添加剂占5.5～25，CeO2或La2O3占0.5～3.0。所述碳化硅与碳化硼的质量比为1∶20～20∶1。陶瓷防弹板的制造方法：首先，按常规方法将碳化硅和碳化硼粉末及添加剂混合成形，然后将压坯置于真空烧结炉中，先将真空炉抽成真空，再用氩气冲洗三次。升温烧结，升温的速率为5～30℃/min，升温到1750～2050℃后，保温240～480分钟，烧结在氩气中进行。本发明断裂韧性提高，比现有技术提高10～50％，同时降低成本20～40％。抗弯强度提高了30％左右，使材料的防弹性能提高。
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本发明提供了一种利用铬粉制备高温合金用真空级低氮金属铬的制备方法，包括以下步骤：S1：将低温浸渍后的铬块低温研磨得到铬粉；S2：以粘接剂作为载体在压制模具内以一层铬粉、一层石墨粉的方式喷覆，得到铬粉‑石墨粉混合坯料；S3：在保护气体氛围下将铬粉‑石墨粉混合坯料的压制模具密封，对压制模具进行压制处理后得到压制铬坯块；S4：将铬坯块微波处理后装入真空烧结炉中，密封并抽真空，梯度烧结完成后在保护气体氛围下风冷至室温，得到真空级低氮金属铬。总之，本发明制备的金属铬相比常规方法的优点O含量低、N含量低。
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本发明公开了一种烧结钕铁硼回火工艺,该工艺使用抽真空机组抽真空,烧结结束后,充惰性气体氩气冷却到160~200℃→直接升温6℃/min→880~1000℃保温2~4Hr→直接冷却至120~150℃→再直接升温6℃/min→460~620℃保温3~5Hr→直接冷却80~120℃出炉,料盒层与层采用铁杆间隔使盒层之间留有间隙。降低了电量消耗,每台绕结炉节约电量350千瓦时,每年单炉节电123000千瓦时。降低惰性气体消耗,减少充气次数,充气由三次变一次,每年单台烧结炉年节约惰性气体9360Kg。缩短生产周期,提高生产效率,每年每台烧结炉节约工作时间432小时,每年单台烧结炉增加产量12600Kg。保障了产品一致性,提高了矫顽力,产品矫顽力平均提高了1Koe。
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可伐铁镍合金制备方法，包括如下步骤：步骤101配料球磨:按照重量比例WC：FeNiCo=2.5：1至3：1的配比进行球磨；步骤102,球磨完成后对压料干燥制粒；步骤103压制合金并真空烧结。采用本发明所述可伐铁镍合金制备方法制得的铁镍合金，在普通真空烧结的条件下,可得到强度高、抗冲击性能好的组织结构,是替代YG20C的理想材料。在烧结过程中胶结金属对WC润湿性好,液相填充能力较强，制造工艺过程中使用的设备与传统硬质合金大致相同，能很好的节省更新生产线的成本。
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多孔钛表面制备含榍石生物活性陶瓷涂层的方法。钛及其合金的多孔材料保持了钛实体高机械强度、高韧性和优良的抗疲劳性能等特点。本发明,一:将钛珠(1)表面抛光、清洗;二:将钛珠装入模具中后置入真空度为10-3Pa的真空烧结炉中,1450℃恒温加热2小时,随炉空冷,冷却后取出,钛珠形成自然搭接的多孔钛(2);三:将多孔钛置于含有碱性电解液的不锈钢槽体中,氧化过程中冷却系统控制槽液温度<50oC;采用双极脉冲电源,多孔钛表面的击穿放电使多孔钛表面形成微弧氧化涂层(3),微弧氧化涂层厚度控制在3～10mm。四:将微弧氧化涂层放入空气炉中600~900℃,保温1-12h进行热处理。发明用于制作骨骼替代物。
本发明公开了一种反应法制备Mo(Si，Al)2-SiC金属陶瓷复合材料的方法，它的步骤如下：（1）按以下组分及质量百分数配置金属陶瓷复合材料的原料：Al2-15%、SiO215-50%、Mo30-70%、Si3-30%、余量为C，混合均匀后加入酚醛树脂，酚醛树脂的加入量为原料总质量的2-15%，混合均匀后模压成型，并烘干，得到坯料；（2）将步骤（1）中的坯料放入真空烧结炉中，并撒上硅粉，硅粉的质量为原料总质量的20-30%，然后在真空下进行烧结，烧结温度为900-1480℃，保温10-40min；（3）将步骤（2）中的坯料继续升温至1500-1680℃，保温10-50min，通入氮气或氩气，最后升温至1700-1800℃，抽真空，然后随炉冷却，得到Mo(Si，Al)2-SiC金属陶瓷复合材料。本发明工艺简单，反应烧结效率高，Mo(Si，Al)2-SiC金属陶瓷复合材料断裂韧性大于4.2?MPam1/2。
本发明公开了一种高性能Cr3+,Nd3+复合掺杂GSGG激光陶瓷及其制备方法，包括下列步骤：采用高纯Cr2O3、Nd2O3、Gd2O3、Sc2O3及Ga2O3粉体为原料，按照材料的化学计量比进行配料，混合成均匀的硝酸盐溶液，以氨水为沉淀剂，一步注入硝酸盐溶液中，同时进行充分搅拌，然后陈化形成沉淀液；沉淀液经过滤、洗涤、烘干得前驱粉体，在空气气氛中800‑1100℃煅烧，得Cr3+,Nd3+：GSGG纳米粉体；对粉体干压成型后冷等静压，再通过真空烧结，待炉温冷却至室温，取出样品进行打磨、抛光，得Cr3+,Nd3+：GSGG激光陶瓷。本发明与现有该体系单晶比，制备工艺简单，可使材料的综合性能得到提升。
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本发明公开了钬镱双掺氧化镧镥透明陶瓷，包括式(Ⅰ)所示的结构：Ho2x, Yb2y : (La0.1Lu0.9‑x‑y)2O3(Ⅰ)；其中，0.005≤x≤0.08，0.01≤y≤0.09。钬镱双掺氧化镧镥透明陶瓷的制备方法，包括如下步骤：步骤一、称取Ho2O3、Yb2O3、La2O3、Lu2O3溶于硝酸后恒温加热得到混合溶液，在混合溶液中加入燃烧剂和分散剂，待完全溶解后调节pH至2～10，继续恒温加热逐渐脱水得到凝胶；步骤二、将所述凝胶干燥后进行研磨和煅烧，煅烧之后再进行研磨得到纳米粉体；步骤三、在所述纳米粉体中加入烧结助剂和无水乙醇后进行搅拌、烘干和研磨得到预处理粉体；步骤四、将所述预处理粉体进行压制得到素坯后，再冷等静压得到坯体；步骤五、将所述坯体进行恒温真空烧结得到所述激光材料。
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本发明提供了一种冶金自润滑轴承及其生产工艺，其原料组成的质量比是：钛粉18～22％、铝粉1～4.8％、石墨0.6～1％、硬质颗粒物1～5％、硬酯酸锌1～5％，余量为铁粉。其制造的工艺路线依次是：根据上述原料组成，将各原料混合、压制成轴套状坯料、真空烧结、渗碳、淬火、车加工至要求的几何尺寸和真空浸油，制成成品。该发明的机械性能和摩擦磨损性能均优于传统的粉末冶金轴承和高力黄铜镶嵌石墨的自润滑轴承，同时在产品的制造成本上具有明显的优势。
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