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本发明提供的一种高可靠合金型玻璃钝化二极管及其制作工艺，包括管芯，管芯的两面均通过蒸铝层和钼电极与铜引线连接，所述管芯、蒸铝层、钼电极、保护环封装在玻璃外壳内，所述管芯的边缘制作有保护环。本发明在管芯边缘形成高压扩散PN结环内部嵌套低压合金结的结构，使得产品加上反偏电压时，首先在中间合金PN结处发生击穿，这样的结构可以避免合金PN结边缘的电场集中，降低了边缘电场强度，可以有效降低产品在常温及高温时的反向漏电流，提升产品的合格率及可靠性。
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本发明公开了钽电容器固体电解质及其制备方法、钽电容器和用电器，涉及电容器的阴极电解质制备技术领域。制备方法，包括：采用浆料包覆法在第一中间体的表面进行至少一次浆料包覆，得到第二中间体，浆料包覆法为：在被包覆物表面包覆含有β‑MnO2粉末的硝酸锰浆料，然后干燥；将得到的第二中间体通过热分解使其中所含的硝酸锰分解为二氧化锰得到第三中间体；第一中间体为表面覆盖有介质氧化层且微孔被二氧化锰填满的多孔钽烧结体；在第三中间体的表面再次包覆二氧化锰，以填满第二中间体表面β‑MnO2微粒间的间隙。用电器，包括上述的钽电容器。该方法可减小被覆过程中对介质氧化膜的破坏，使电容器漏电稳定性好。
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本发明属电子元器技术领域，尤其涉及提高片式固体电解质电容器耐应力的方法，包括阳极设计和阴极被膜强化处理；所述阳极设计是将阳极钽块高度方向棱边进行倒角处理，直角棱边变成圆弧状；所述阴极被膜强化处理是将形成介质层的阳极钽块通过多次浸渍分解硝酸锰溶液和强化处理形成二氧化锰层。本发明提供的方法，能在钽阳极表面能形成厚度均匀、致密度高的二氧化锰层，消除钽阳极加工过程中出现的应力集中和局域薄弱现象。本发明所制的钽阳极能提高片式固体电解质钽电容器耐热应力、机械应力等应力冲击能力，提高其焊接性能；可用于制造出耐应力能力强、可靠性高的片式固体电解质钽电容产品，扩大了电容器的应用范围。
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一种新型固体电解电容器及其制造方法,涉及一种电器元件、经六个工艺步骤制造出一种具有极低的等效串联电阻(ESR)和很高的体积效率,其阻抗频率特性好,ESR值可在10KHZ-1000KHZ范围内保持稳定,能够很好地满足现代电子设备高频化的要求的固体电解电容器,其中关键步骤4为阴极电解质层的制造方法,所述的阴极电解质层具有导电性高分子复合层,该导电性高分子复合层是由无机二氧化锰电解质层4B或化学聚合的导电性高分子层4B与电解聚合的导电性高分子聚合物4C层复合而成,并且采用底面电极引出的形式对电容器元件进行封装。
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本发明属于粉末冶金摩擦材料技术领域，公开了一种含钛的铜基粉末冶金摩擦材料及其制备方法，所述含钛的铜基粉末冶金摩擦材料按质量份数计，由电解铜粉30~45份、还原铁粉20~35份、钛粉15~25份、二硫化钼10~22份、二氧化硅8~15份、鳞片石墨粉6~14份、金属碳化物5~8份和铜纤维3~5份组成。本发明采用铜粉、铁粉和钛粉为原料，科学地设计材料的各种成分组成及配比，经过配料、球磨、干燥、制粒、成形、烧结等工艺成功制备了具有优异力学性能的含钛的铜基粉末冶金摩擦材料。同时，本发明根据实际工况需要，合理选择金属碳化物与其他原料进行搭配，发挥了该陶瓷摩擦组元的优势，提高了材料的综合摩擦磨损性能。
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本发明提供的一种高可靠抗辐照玻璃钝化快恢复整流二极管制造方法，采用钼或钨作为电极引线，管芯采用铝作为焊料，芯片采用深结扩散工艺，台面造型为正斜角造型，该芯片结构降低表面电场，同时在进行玻璃钝化封装前，采用酸、碱腐蚀工艺及钝化工艺对芯片台面进行保护，然后采用特殊玻璃粉进行高温钝化封装成型；本发明芯片成正斜角，降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的雪崩击穿性能，提升产品的可靠性；由于钝化层较厚，同时具有一定的含铅量使产品能在辐照条件下稳定工作。
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本发明公开了一种降低氧化铌电容器等效串联电阻的阴极制备工艺，该工艺步骤主要包括阳极芯块和介质膜的加工、阴极半导体的加工、阴极过渡层的加工及阴极引出层的加工；该工艺将形成介电层的阳极芯块浸渍、脱水、热分解低浓度和高浓度硝酸锰溶液，通过在阴极半导体层与阴极引出层间增加一层过渡层，消除了层间接触电阻，使电容器的等效串联电阻减小20％以上；该工艺由于在热分解硝酸锰溶液之前采用了脱水工艺，提高了二氧化锰对阳极芯块内部的填充率，而且取消了低浓度与高浓度硝酸锰的交替浸渍、热分解，使工艺操作更简单、效率更高，适合于工业化大批量生产。
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本发明一种铌电容器阴极制备方法，涉及一种电解电容器阴极电解质的制备方法。本发明是将氧化铌粉压制成氧化铌电容器阳极芯块，按传统工艺经烧结，阳极形成，形成介电层后，将形成介电层的铌阳极芯块经浸渍低浓度硝酸锰溶液、高浓度硝酸锰溶液、乙酸水溶液中形成处理等7个步骤完成在含介电层的阳极块表面制备二氧化锰阴极层。由于本发明采用浸渍低浓度硝酸锰溶液与高浓度高硝酸锰溶液交替浸渍和热分解方式，使分解得到的二氧化锰颗粒能够渗透到阳极块的微孔中，并与阳极块紧密接触，从而实现电容量的完全引出，降低了二氧化锰阴极层的接触电阻，达到降低产品等效串联电阻ESR的目的。
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本发明公开了具有高电导率的固体电解质电容器的制备方法，包含烧结、形成介质氧化膜、制作表面为导电高分子π-共轭聚合物层的阳极块、涂敷石墨层和银浆层、通过模压封装的步骤形成最终产品。本发明的有益效果是：通过具有交联结构聚阴离子基团的偶联剂在乙醇溶液中通过有机磺酸的作用，在100～150℃下一方面导电聚合物单体发生聚合反应形成透明及具有很高弹性的聚合物膜层，另一方面聚阴离子基团有机磺酸的作用下形成交联的骨架，从而生成具很高柔性的高分子导电复合物，在很大程度上缓解电解电容器制作过程中因模压树封时环氧树脂热收缩产生的热应力，大大降低了电容器的ESR，提高了电容器性能的稳定性。
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本发明提供了一种改善烧结钽块内部孔隙度的方法，包括以下步骤：称量钽粉‑混粉‑自动成型‑脱樟‑烧结‑测试孔隙度。本发明了有益效果在于：通过对比不同粘合剂对烧结后钽块孔隙度的影响，根据不同粘合剂脱除后留下的孔隙大小、形貌、比例的区别，选出最合适的粘合剂及最佳添加比例来改善钽块的孔隙度，有助于更为深入的了解阳极钽块内孔隙的基本结构，此外，钽块内部合适的孔隙度可以提高后续阴极二氧化锰的被覆率，从而使电容量得到更大程度引出，其操作简单，效率高，无需复杂设备，投入成本低，对完善被膜工艺及容量引出改善效果明显。
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本发明涉及医疗机械技术领域，且公开了骨缺损植入器械梯度多孔材料制造方法，第一步：取镁合金Mg‑Zn、Zn、Zr、Ca、Fe、Ti、Mg‑Ca粉末与NaHCO3混合搅拌，得到第一混合物。该骨缺损植入器械梯度多孔材料制造方法，本发明的骨缺损植入器械梯度多孔材料由首先采用镁合金Mg‑Zn、Zn、Zr、Ca、Fe、Ti、Mg‑Ca粉末与NaHCO3混合制备的预制体，再对预制体进行多次处于，分别进行防腐蚀阻挡处理和构建氧化钛梯度层处理，最终制备获得耐腐蚀、使用寿命长、可有助于人体骨组织生产以及恢复的骨缺损植入器械梯度多孔材料，本发明的骨缺损植入器械梯度多孔材料制造方法不仅工艺简单、易操作，而且还绿色环保，不会对环境产生污染和危害，可满足企业的生产要求，适合推广。
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本发明一种铌电容器介质膜强化方法，属电子元件制作技术领域，是将现有工艺电化学制造后有介质膜的阳极块进行强化处理，其处理方法是将阳极块在250℃～400℃的烘箱中干烘10～30min，再在0.1%～1%v/v、60℃～90℃的硝酸水溶液的电解槽中，以与阳极块连接的电极为正极对阳极块实施电化学氧化。由于对第一次制备的介质氧化膜采取了“干烘+形成”的工艺处理后，明显降低了阳极块的漏电流值，介质膜的晶粒更小，膜层更致密。
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本发明一种降低铌电容器高温电容量变化率的工艺方法，涉及电解电容器辅助阴极层制备技术，是将氧化铌电容器阳极芯块按传统工艺完成阴极电解质二氧化锰层加工后得到的阴极电解质的阳极块经碳层制备和制备导电引出层后再按现工艺完成电容器的后面工序。由于本发明碳层的制备采用浸渍两次石墨水液，并在两次浸渍之间浸渍一次表面活化剂，完成碳层制备的阴极电解质阳极块又经导电浆料的处理，使碳层与阴极电解质层、导电引出层间的结合更紧密，有效的抑制了铌电容器在温度升高时的电容量增加。
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本发明提供的一种高可靠抗辐照玻璃钝化电压调整二极管制造方法，采用钼或钨作为电极引线，管芯采用铝作为焊料，芯片采用深结扩散工艺，台面造型为正斜角造型，该芯片结构降低表面电场，同时在进行玻璃钝化封装前，采用酸、碱腐蚀工艺及钝化工艺对芯片台面进行保护，然后采用特殊玻璃粉进行高温钝化封装成型；本发明芯片成正斜角，降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的雪崩击穿性能，提升产品的可靠性；由于钝化层较厚，同时具有一定的含铅量使产品能在辐照条件下稳定工作。
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本发明公开了一种超大功率白光LED光源模组及封装方法，属于LED光源模组及封装技术领域，包括基板、蓝光LED芯片组、独立散热支架、固态荧光片和绝缘导热透明垫块，所述蓝光LED芯片组固定在基板上并实现电气连接；所述独立散热支架固定在基板上并对蓝光LED芯片组形成围坝，所述围坝内沿设有台阶；所述固态荧光片固定在所述台阶上，并位于蓝光LED芯片组正上方；所述绝缘导热透明垫块安装在固态荧光片与蓝光LED芯片组之间；所述绝缘导热透明垫块通过共晶焊固定设于蓝光LED芯片组的间隙之间；绝缘导热透明垫块高度高于蓝光LED芯片组高度,其顶部与固态荧光片底部实现有效接触；本发明有效解决了现有荧光陶瓷片粘接封装存在热阻大，影响LED光源封装可靠性的问题。
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本发明提供的一种采用钨电极制造高可靠瞬态电压抑制二极管的制造方法，包括管芯的制备、电极焊接、处理封装，采用了钨电极作为电极引线制造玻璃钝化瞬态电压抑制二极管，大大提升了器件的瞬态峰值功率，相同封装外形尺寸可以提升80％以上的瞬态峰值功率。
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本发明提供的一种高可靠抗辐照瞬变电压抑制二极管的制造方法，采用钼或钨作为电极引线，管芯采用铝作为焊料，芯片采用深结扩散工艺，台面造型为正斜角造型，该芯片结构降低表面电场，同时在进行玻璃钝化封装前，采用酸、碱腐蚀工艺及钝化工艺对芯片台面进行保护，然后采用特殊玻璃粉进行高温钝化封装成型；本发明芯片成正斜角，降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的雪崩击穿性能，提升产品的可靠性；由于钝化层较厚，同时具有一定的含铅量使产品能在辐照条件下稳定工作。
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本发明涉及一种以固体导电高分子聚合物为电解质,以钽、铌、钛、铝等阀金属为阳极的固体电解电容器及其制备方法,本发明对阳极设计、赋能、化学氧化原位聚合、浸涂石墨银浆以及制作底面引出电极等工艺进行了充分的阐释,采用本发明的技术方案,能够使高分子聚合物层、石墨层、银浆层之间紧密结合,制造的电解电容器具有极低的等效串联电阻(ESR)和很高的体积效率,其阻抗频率特性好,ESR值可在10KHZ～1000KHZ范围内保持稳定,能够很好地满足现代电子设备频化的要求。
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一种钽电解电容器阳极钽块烧结成型方法，涉及电解电容器领域。所述成型方法是将纳米级粒径的钽粉置于设定形状和大小的容器内，采取分段等静压成型工艺，按压力从小到大、再从大到小的顺序分为若干段，在设定的条件下通过液体对置于容器内的预成型体施加各向均匀的压力，进行阳极钽块等静压成型，再进行高温烧结成型。解决了现有钽电解电容器阳极钽块烧结成型后容易变形、绝缘可靠性差、坯体密度不均匀的问题，以获得具有一定形状、密度、内部均匀的钽粉成型素坯。烧结后的压坯收缩形变量小，尺寸精度和表面光洁度均优于传统液压机干压成型工艺，为后续的装配工艺和规模化批量生产带来便捷，并有利于提升电容器的电参数、质量一致性和可靠性。
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本发明公开了一种用于气凝胶复合中空玻璃的密封胶及其制备方法，密封胶由下列重量份的原料组成：聚二甲基硅烷18～20份、聚乙烯14～16份、3‑羟基丁腈10～13份、聚二甲基硅氧烷9～12份、白炭黑8～10份、聚氨酯6～9份、丙烯酰胺6～9份、二甲基二甲氧基硅烷5～8份、甲基三氯硅烷3～6份、六甲基二硅氧烷2～5份、丙烯酸钠4～7份、磷酸铵6～9份、乙醇胺5～8份、环庚三烯酚酮4～6份、聚硫3～5份、重铬酸钠2～3份、尿素3～6份、高锰酸钾2～5份、二氟乙酸乙酯1～3份、五氯苯胺2～4份、引发剂1～3份、交联剂3～5份和增塑剂2～4份。采用本发明所述方法制备的密封胶，其耐候性能好，还具防火性能，具有较好的应用前景。
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本发明公开了一种微型玻璃钝化封装整流二极管，包括管芯、电极、引线和玻璃封装外壳。所述管芯为单晶硅制成的PN结，其P面和N面分别依次与电极和引线连接。所述管芯与电极通过金属薄膜层熔焊键合在一起，所述电极和引线通过铜焊片熔融焊接在一起。将玻璃钝化封装的整流二极管的外部直径做到1个毫米以下，实现了整流二极管的微型化；同时，玻璃钝化封装与塑料封装相比，二极管的高温反向漏电流更小、工作温度范围更宽、可靠性更高。
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本发明提供的一种高可靠玻璃钝化微型表贴二极管的制造方法，包括管芯的制备、电极焊接、处理封装，芯片分离采用正吹砂切割方式形成正斜角，大大降低了器件的表面电场，提高了芯片表面的稳定性；在芯片腐蚀过程中采用酸腐蚀去除芯片台面损伤层、腐蚀工艺去除粘附在芯片表面的重金属离子、热钝化方式中和碱金属离子并在芯片表面生长一层二氧化硅钝化保护层的工艺，最大限度的清洁了芯片表面，减少了界面电荷的影响，使器件具有良好的反向性能，提升产品的可靠性；采用主要成分为氧化锌、三氧化二硼、二氧化硅的钝化玻璃粉经过高温成型实现玻璃粉对芯片台面的钝化兼封装作用，产品组件中的电极与芯片和玻璃钝化层的热膨胀系数相当，提高了产品的抗温度冲击能力；产品采用专用焊料将电极片和轴向产品进行烧结，实现了表贴封装结构。
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本发明公开了一种玻璃钝化表贴二极管及其制造方法，属于二极管技术领域。该二极管包括管芯和两电极片，所述管芯位于两所述电极片之间，所述电极片通过蒸铝层与管芯连接，所述管芯、两电极片和蒸铝层均封装在钝化玻璃内，且所述电极片上远离管芯的一端沿管芯的径向延伸到钝化玻璃外。二极管的引出电极为钼片，钼片厚度为0.1mm～0.2mm，引出电极尺寸更小。二极管的引出电极沿管芯的径向延伸，管芯尺寸增大时，只需增大钼片的焊盘尺寸即可，二级管的厚度不会增加，可以制造出外形尺寸小，厚度非常薄的表贴器件。将台面腐蚀后的二极管放入灌注模具中，再向灌注模具中注入玻璃粉浆的方式涂覆玻璃浆，可以根据需要制造不同的封装外形。
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本发明公开了一种玻璃钝化实体封装低压二极管及其制造方法，属于二极管技术领域。该二极管包括硅片A和两个电极引线，所述硅片A位于两个所述电极引线之间，其中一个电极引线通过焊接金属A与硅片A连接，另一个电极引线通过焊接金属B与硅片A连接，所述硅片A、焊接金属A、焊接金属B和两电极引线均设于钝化玻璃内，且电极引线的一端延伸到钝化玻璃外。二极管的核心PN结是在电极引线与管芯的烧焊过程中同步获得的，避免了PN结因高温工艺进行了重新分布，最终导致二极管电压大幅提高的问题，避免了传统二极管因管芯PN结结深太浅，烧焊时焊接金属穿越PN结，导致PN结短路的问题，可以制造6V以下的玻璃钝化实体封装二极管。
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本发明公开了一种高可靠玻璃钝化表贴封装电压调整二极管及其制备方法，涉及二极管制造技术领域；包括管芯的制备、电极焊接、处理封装；本发明二极管采用U型玻璃钝化表贴封装结构，结合了玻璃钝化产品可靠性高、抗机械、温度冲击能力强特点，以及表贴封装器件尺寸小、易安装的特点，器件具有圆形引出端和方形引出端两种结构，满足用户对高可靠玻璃钝化表贴封装电压调整二极管的使用要求。
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本发明属于提高电容器外壳内壁容量技术领域，具体涉及一种提高非固体电解质钽电容器钽外壳内壁容量的方法；采用钽粉压制的阴极桶为多孔蜂窝结构，可以充当二氧化钌的附着对象，等效于增加钽外壳的内表面，增大二氧化钌的附着量，从而达到增加钽外壳内壁容量的目的。
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本发明提供了一种超薄钽电容器阳极钽芯，包括箔片和钽层，所述箔片为片状结构，所述箔片的至少一个侧面上设置有钽层，所述钽层与箔片连成一体。本发明采用箔片和钽层结合的结构使阳极钽芯可以做成任意形状的薄片状，采用印刷工艺制备阳极钽芯，大大减小了阳极钽芯的厚度，对阳极钽芯进行低温干燥处理、去粘合剂处理、高温烧结后使薄片状的阳极钽芯满足设计要求，阳极钽芯最小厚度可达到几十个微米，使最终制成的钽电容器的厚度大大缩小，更适合现代元器件对薄型化的需求。
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本发明公开了一种免清洗混合集成电路焊接方法，该方法是采用不含助焊剂的全固态预制合金焊料片取代原先的膏状焊料，在充满氮气且温度可控的环境下，采用两种不同熔点的合金焊料分步进行芯片、基片电路、基座的相互焊接，不会对基座、基片电路和芯片造成污染，产品焊接后可直接进行键合、封装，实现免清洗焊接。本方法产品焊接后可直接进行键合、封装，避免焊接后的清洗、清洗剂的使用和排放，节省时间提高效率。采用这种工艺焊接的产品，焊接强度较膏状焊料更高，产品能经受恒定加速度试验不脱落，远高于国家军用标准规定的要求；适用于焊接面为可焊金属介质的外壳、基片电路和带背面金属化半导体芯片、无源元件的混合集成电路的组装焊接。
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本实用新型提供了一种SMD‑0.5陶贴封装产品烧结模具，包括管座；有至少两条平行的侧挡和至少两个位于多条侧挡间的隔块构成平面腔体，管座置于该平面腔体中。本实用新型装架时只需将芯片轻轻放入即可，大大降低了装架难度，芯片及电极片定位准确，为拓展自动化烧结、压焊提供方案；使用方式简单、过程大大简化，生产效率提高50％；芯片表面无需受力，对芯片表面易损同时芯片表面质量要求很高的产品提高了高可靠性、高成品率的解决方案；配合真空烧结工艺可以有效解决芯片烧结空洞问题，将芯片烧结空洞面积降低至5％以下。
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本实用新型涉及一种既耐高温，又能在真空和保护性气体的环境下，电流通过石墨电阻且石墨电阻发热加热烧结炉内dpf生坯的壁流式蜂窝陶瓷载体高温烧结炉，它包括高温烧结炉，所述高温烧结炉的壳体呈圆筒状结构，炉壳末端与弧形封头焊接，炉门为弧形头状结构，高温炉壳腔内设有石墨一区和石墨二区且位于石墨放料枕上，料盘位于石墨放料枕上。优点：一是采用石墨电阻发热烧结，不仅烧结温度高，而且高温温度的穿透性好，确保了烧结质量的稳定可靠；二是结构设计新颖、独特、简单、耐压密封性能好，真空烧结效果好。
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