973
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本发明公开了一种原位生成SiC增强氧化铝基陶瓷型芯的方法,将氧化铝陶瓷粉末与固态硅树脂粉末进行球磨混合,配置成所需的原料,使用干压成型方法压制出型芯样品,接着将获得的型芯样品在真空烧结炉中于惰性气氛保护下烧结,获得弥散的SiC相增强的氧化铝基陶瓷型芯。本发明所提供的制备工艺简单,可操作性强,生产周期短,成本低廉,所制备的氧化铝基陶瓷型芯具有优异的高温性能,能够适用于更高温度条件下的高温合金空心叶片的制备,且能保证叶片的尺寸精度和合格率。
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本发明涉及半导体技术领域。一种嵌埋式陶瓷基板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一,正面金属层以及背面金属层预处理;所述正面金属层包括至少两层金属片,至少两层金属片包括靠近瓷片的第一金属片,至少两层金属片中除了第一金属片的其余的金属片开设有至少一个上下贯穿的贯穿孔;步骤二,将正面金属层、瓷片以及背面金属层三者进行真空烧结。所述贯穿孔用于内嵌芯片。本专利通过在正面金属层上开设有贯穿孔,便于实现了对芯片的限位固定效果。相应的减薄了后期封装件的厚度。此外,可以实现芯片的热量从周向向外以及向下区域的金属层散热,大大的提高的散热范围。
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本发明涉及一种金属封装陶瓷基体复合材料及其制作方法与应用,制作方法包括以下步骤:第一步:将质量分数分别为65%~90%的金属铝粉、5%~30%的金属钛粉及2%~5%的冰晶石进行机械混合,得到金属混合粉料;第二步:将形状规则的陶瓷块体均匀整齐的排列在模具中,陶瓷块体之间的间距为0.8~1.5mm;第三步:将第一步制得的金属混合粉料密实填充到第二步得到的陶瓷块体的间隙中,得到复合材料预制体;第四步,将复合材料预制体放入真空烧结炉中进行烧结,烧结过程中,真空度保持在10-2Pa~10Pa之间,烧结温度700~900℃,烧结时间为10~60min,烧结后随炉冷却,得到金属封装陶瓷材料。与现有技术相比,本发明制备工艺简单,所制得复合材料中的金属与陶瓷结合致密。
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一种三元硼化物基钢用涂层零件的制备方法,先制造出浇铸此涂层零件的浇铸模型,然后根据涂层零件的具体使用要求设计出所需涂层的尺寸、形状等,压制或调制出可形成三元硼化物基金属陶瓷的压坯或浆料,将压坯或浆料固定或涂刷在铸型型腔的要求位置上,然后向铸型型腔内浇注钢液,结晶凝固后即得到三元硼化物基金属陶瓷涂层零件的毛坯,再经机械加工而形成涂层零件。本发明解决了传统涂层工艺难于制备界面结合强度高的涂层零件的问题,也解决了真空烧结法难于解决的大尺寸涂层零件由于受真空炉规格的限制而无法制备的问题,同时工艺简单,不需投资专用喷涂设备或真空烧结炉,制得的涂层零件价格远远低于其它涂层零件。
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本发明涉及一种用于煤炭电解加氢液化中的阴极负载型催化电极的制备方法,特别是采用机械合金化-粉末冶金法制备Ni-Mo电极,属催化电极制备技术领域。本发明制备方法的步骤包括:(1)高催化活性Ni-Mo粉末的制备(2)造孔剂NaCl的添加(3)电极的压制;(4)电极脱去造孔剂;(5)电极的高真空烧结。该类催化电极具有较高的煤炭电解加氢的电流密度和电流效率,同时具有重复性和稳定性良好的优点。
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本发明提供了一种抗粉化块体吸气剂的制备方法,步骤为:将吸气合金中的原料按一定比例进行配制,通过熔炼的方法制备成合金,然后对合金在保护气氛下进行破碎和球磨;将吸气合金粉末与一定比例的钛及钛合金纤维均匀混合形成合金混合物;将上述合金混合物在钢性模具中进行压制形成压坯;在真空度为3~5×10‑3Pa的真空环境下,对压坯进行真空烧结,即可得到抗粉化能力强的块体吸气剂。本发明产生的块体吸气剂产品,在MEMS晶元级封装中具有较好的韧性,克服了产品使用过程中掉粉掉渣的现象,能够维持晶元封装后在振动环境下较好的真空度,有利于延长使用寿命,并且结构设计简单,适合大批量生产,可以有效地满足用户的需求。
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本发明公开了一种利用真空还原-氯化蒸馏技术来回收褐煤烟尘中锗的方法,首先,将褐煤烟尘与5-25wt%的焦炭一起置于真空加热炉中,在800-1000℃下进行真空还原反应,得到产物含金属Ge,GeO以及一些杂质如As2O3的冷凝产物;然后,对冷凝产物采用氯化蒸馏,得到纯的GeCl4,其纯度在90%以上;接着,GeCl4的水解反应,得到产物纯GeO2;最后,H2还原纯GeO2的反应,得到纯度为90%以上的金属Ge,其回收率分别达到90%以上,具有高效、环保、资源化程度高的特点,适合大规模工业化应用。
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本发明公开了一种陶瓷马赛克的制作方法,包括以下步骤:a、氧化锆粉、PE、石蜡、硬脂酸充分混合到一起;b、将上述混合的物料注塑成型,制成生胚;c、利用除蜡溶剂对上述生胚进行除蜡;d、把除蜡后的生胚放进炉体内,加热以去除生胚中的PE、硬脂酸;e、放进炉体内进行烧结;f、将初步烧结后的生胚放进真空还原炉中进行高温真空还原。本发明制作出来的氧化锆-陶瓷马赛克,属于宝石级的珍贵材料,质地坚硬,能抵御高温高寒,而且具有宝石的独特光泽和透明质感,可以保存数百年不变,由纯天然的材料加工而成,对人体无任何的副作用。
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本发明属于纳米复合陶瓷材料技术领域,具体的说是一种SiC/CNTs复合陶瓷的的制备工艺,其特征在于:选取如下重量份原料:碳纳米管10-28份、SiC颗粒64~82份、酚醛树脂8份;再加入无水乙醇,在酚醛树脂内衬球磨罐中进行湿混球磨;热风中烘干;粉碎后过100目筛;70~100MPa模压成型得到压坯;在N2气氛中将压坯升温至800℃保温30~60min进行酚醛树脂脱除,得到预烧坯;上述预烧坯上放置硅片上进行真空烧结熔渗,烧结熔渗温度为1450~1550℃;冷却得SiC/CNTs复合陶瓷成品。本发明同现有技术相比,工艺简单,所得碳化硅烧结坯致密度高,无游离硅残留,强度与韧度较高。
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钛基复合材料自反应-粉末冶金制备的方法属于 复合材料领域。该方法具体如下:称取适当化学计量的海绵钛、 碳化硼、石墨粉和合金化元素粉末;采用V型混合机、球磨机 等混合方法将粉末混合均匀;采用模压成型、冷等静压成型等 方法将获得的混合粉末制备出具有预定外形的生坯;将生坯放入真空烧结炉中烧结,真空度控制在1×10-1Pa-1×10-3Pa之间,烧结温度控制在1200℃-1400℃之间,烧结时间为2-18小时;随炉冷却即可得原位自生钛基复合材料。本发明能简捷、低成本制备高性能的钛基复合材料,并可通过调整不同增强体含量、摩尔比值及基体合金成分制备所需的复合材料,本发明制备不同摩尔比值TiB和TiC增强钛基复合材料具有近净成形的特点,尤其适合批量制备零件。
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本发明涉及一种硼化镁复合超导材料的制备方法,属超导材料制备工艺技术领域。本发明制备方法为:将B4C和Mg粉末充分研磨混合后,压成块状,放入陶瓷坩埚中,用陶瓷内盖盖好,并沿内盖边缘撤入适量B2O3粉,或者用金属管包套,以达到密封;然后将上述试样放入真空烧结炉进行烧结;烧结温度为700~900℃,保温60~120分钟,然后在真空下自然冷却至室温,即得到MgB2复合超导材料。该材料超导温度高达34K,临界电流密度在10K零场下高于0.5×106A/cm2,能满足超导强电应用要求。本发明制备工艺简单,对反应装置要求较低,并能极大地节约MgB2超导材料的制造成本。
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一种粉末冶金法制备准晶颗粒增强镁基复合材料的工艺,属于复合材料、冶金技术领域。本发明采用机械球磨或高压惰性气体雾化的方法制取准晶粉末,过筛后得到20-100μm的准晶粉末,采用-200~80目的镁合金粉末分别与准晶粉末进行混合后热压压制,然后在真空炉里进行烧结,制备出准晶颗粒增强镁基复合材料,具体工艺参数为:准晶颗粒质量百分数为5-25%,热压温度250-450℃,真空烧结温度580-650℃,烧结时间20-60分钟。本发明增强颗粒与合金粉末能充分混合均匀,所占质量分数可调,而且粉末冶金的烧结温度较低,避免了在液相工艺过程中基体熔融金属与准晶颗粒之间的反应,准晶增强颗粒与基体金属界面结合良好,且能弥散均匀分布在基体金属内。
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本发明公开了一种低钨含量的粉末冶金闸片,包括如下组分:铜粉;钨粉;铁粉;镍粉;锰粉;锡粉;钛粉;氧化钛;氧化硅;碳化硅;石墨;本发明还提供了上述闸片的制备方法,将各组分按重量百分比计量后,放入V型混料机内搅拌,充分混合后;将混合均匀的粉体放入模具内压制成型;将压制的坯料装入石墨模具放置在钟罩式真空烧结炉,采用高纯氩气作为保护气进行烧结;待冷却后,将样品从真空烧结炉中取出,取出的样品表面会残留少许石墨纸,用砂纸将样品表面打磨后,即得低钨高摩擦性能稳定性粉末冶金闸片。根据本发明,使得该闸片的摩擦性能稳定性高。
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本发明涉及一种超细硬质合金及其制造方法该合金由主要成分WC硬质相、Fe-Al-Cr为粘结金属相和稀土金属元素相三者组成的复合合金;该合金的组成成分及重量含量如下:Fe-Al-Cr粘结金属相: Al13-20%, Cr80-87%, Fe余量;复合合金: Fe-Al-Cr 10-15%,Re1-3%,WC余量。其制造方法为:首先由高能球磨制得粘结合金Co-Al;然后按规定的硬质合金成分重量配比配料,并进行强化球磨,然后将磨制所得的硬质合金混合料进行真空烧结,烧结温度1360℃,保温时间20分钟。最后制得超细硬质合金。
1205
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一种六硼化钕的制备方法,属于材料科制备术领 域。本发明具体如下:选取三氧化二钕粉末和碳化硼粉末;对 粉末在200~400℃温度下进行2~4小时的烘干处理;称取摩 尔比1∶3的三氧化二钕和碳化硼粉末;采用V型混合机、球 磨机等混合方法将粉末混合均匀;采用模压成型、冷等静压成 型等方法将获得的混合粉末制备出具有预定外形的生坯;将生 坯放入真空烧结炉中烧结,烧结条件:烧结温度为1400℃~ 1800℃,真空度为1×10-1Pa~ 1×10-3Pa,烧结时间为2小 时~8小时;随炉冷却即得六硼化钕。本发明能简捷、低成本、 高效率地制备高纯度的六硼化钕粉末,生产周期短,所需生产 设备价格低廉、操作简单,适合工业化大批量生产。
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本发明涉及一种稀土离子掺杂钇铝石榴石(RE:YAG)透明陶瓷的制备方法,其特征在于按照材料的化学剂量比进行配料,混合成均匀的Al、Y、Mg和RE硝酸盐溶液,以NH4HCO3作为沉淀剂,逐滴滴加到混合硝酸盐溶液中,同时进行充分的搅拌,然后陈化形成沉淀液;沉淀液经过滤、洗涤、烘干、过筛;前驱体在空气气氛中,在900~1500℃煅烧,得到RE:YAG纳米粉体,粉体中所含有的MgO与Al2O3反应形成镁铝尖晶石,分散在RE:YAG晶界上,在1500℃以下煅烧阶段,抑制RE:YAG晶粒的异常长大,细化晶粒尺寸,使粉体保持良好的烧结活性。将煅烧粉体的素坯在1650~1850℃真空烧结,抛光样品在350-1100nm波段透过率最高可达到82%以上。
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本发明涉及MgB2 超导体材料的制备方法。该方法的步骤为:首先将 B2O3和Mg粉末在惰性气体的保护下进行研磨,然后将上述研 磨好的原料放入陶瓷坩埚中,使用陶瓷内盖盖好,并沿内盖边 缘撒入适量的Mg和 B2O3混合粉末,使原料和外界空气形成屏障;再将上述坩埚放 入真空烧结炉里进行烧结;最后在真空、或在惰性气体保护状 态下自然冷却到室温,即可得到 MgB2超导体材料。本发明方法 制备工艺简单、对反应装置的要求较低,并能极大地节约了 MgB2超导体的生产成本。经零 电阻、磁化率和X-Ray测量,证明本发明方法制备的 MgB2超导体具备良好的超导特 性,其超导转变温度高于37K。
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本发明涉及一种高透光性高浓度铒钇铝石榴石(Er:YAG)透明陶瓷材料的制备方法。其特征在于Er的掺杂浓度为30~90at.%。其制备方法分为两个过程:①按照所需的掺杂浓度称量氧化铒粉体,氧化钇粉体和氧化铝粉体,与无水乙醇、氧化铝磨球和烧结助剂正硅酸己酯进行球磨混和,将制得的浆料干燥过筛后煅烧去除有机残余物,然后经过干压成型,再经过冷等静压得到素坯;②素坯真空烧结:烧结温度为1700~1850℃,保温时间为2h~50h,烧结得到的透明陶瓷,在可见和红外波段3mm以上厚度的材料的直线光透过率可大于82%,与Er:YAG单晶相当。本发明具有原料来源广泛,工艺简单,便于控制的优点。
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本发明属于陶瓷材料制备领域,具体涉及一种氧化钇基透明陶瓷的烧结方法。本发明的方法包括如下步骤:将混合粉体经冷等静压成型后升温至1200~1600℃之间,然后立即降温350~800℃,进行保温,最后将保温后的混合粉体真空烧结2~10小时。本发明的烧结方法利用纳米粉体特殊的烧结性能,首先在低温(熔点温度40%左右)处理,促使样品在致密化(达到约90%的理论密度)的同时,有效控制晶粒长大,进一步在真空环境中升温烧结得到微晶透明陶瓷。本发明的烧结方法可以有效控制烧结过程中的晶粒长大,有利于气孔排出,而且烧结样品无需退火处理即具有良好的透过性。本发明的烧结方法具有成本较低,易于操作的特点。
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本发明公开一种钕铁硼磁铁退磁方法,其所用设备为真空烧结炉,使用氮气或氩气作为保护气体,使用工具包括料盒、隔栅、料盖,其工步包括码料、放隔栅、盖盖、抽真空、升温、保温、充(氩)氮气、保温、冷却、出炉、卸料。本发明采用真空条件下加热退磁,避免了产品的氧化,选用适宜的退磁温度,避免了材料组织变化带来的磁性能的降低,退磁干净,电镀后镀层良好。
本发明涉及一种含纳米TiO2氧化物铁合金中间体及其制备方法和用途。此中间体原料重量百分比组份是:TiO2氧化物8~30%,添加剂粉末1~3%,其余为铁粉,其制备工艺特征在于采用粉末冶金的方法将纳米TiO2氧化物与铁粉均匀混合后,经过压制成型、脱脂、压制和高温真空烧结等工艺制成压块。该中间体可以用于钢液中。本发明中纳米TiO2氧化物颗粒与金属铁粉之间的润湿性良好、纳米氧化物颗粒在烧结过程中仅轻微粗化,中间体成分均匀,组织致密。采用该中间体向钢液添加纳米TiO2氧化物时,氧化物的收得率最高达到47%,钢中TiO2氧化物最高含量达92ppm,氧化物颗粒大部分仍然保持在纳米级。
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本发明涉及一种表面活性剂改性制备钇铝石榴石基透明陶瓷的方法,其特征在于,将氧化铝、氧化钇和稀土氧化物粉体、正硅酸乙酯,无水乙醇和表面活性剂球磨混合,制备成非水基浆料,所制备的浆料烘干,过筛,在空气气氛中,600~1000℃煅烧1~5h去除表面活性剂,得到均匀混合的粉体,粉体经干压成型,素坯1650~1850℃真空烧结,保温时间为1~50h,相比较未添加表面活性剂,添加表面活性剂的样品的光学性能得到很大的提高。本方法优点在于向浆料中添加表面分散剂,降低浆料的粘度,改善浆料的流动性,有助于各种氧化物粉体和烧结助剂混合均匀,保证了整个素坯烧结性能的一致性,相比较未添加表面活性剂,透明陶瓷的性能有了明显的提高。
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本实用新型公开的属于电源技术领域,具体为一种耐高温的真空炉烧结电源,包括真空烧结炉、电控柜外壳体、风扇固定架和防尘板,所述真空烧结炉左侧壁通过线路连接管与所述电控柜外壳体右侧壁连接,所述电控柜外壳体前侧壁铰接电控柜外门,该实用新型对现有的真空炉烧结电源所在的电控柜进行一定改进,通过在电控柜外壁开通多个通气孔,顶部加装风扇,内腔连通安装排风扇,使得电控柜内部热气可及时流通,大大降低电控柜内部电源所处环境的温度,与工作产生的温度,确保电源的正常使用,同时,在电控柜的侧壁加装了便于安装拆卸的防尘板,可对防尘板定期拆卸清理,防止其内部电源在长久存放后,造成一定的灰尘堆积而影响散热效果。
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一种用于氟化物玻璃活性气氛处理的耐腐蚀通气管,所述耐腐蚀通气管是由碳粉、氟化镁通过一定比例混合,经成型、真空烧结、腐蚀和热等静压烧结制备而成;通气管外管壁为玻璃碳,内管壁为高致密氟化镁陶瓷,内管壁与外管壁中间层为碳粉和氟化镁的纳米复相陶瓷。本发明提供的通气管的外壁为玻璃碳,能有效防止全氟化物玻璃熔体的腐蚀;内管壁为氟化镁陶瓷,能有效防止活性氟化物气体的腐蚀;中间层为纳米复相陶瓷,能有效提升通气管的强度和断裂韧性。因而,本发明可以大幅降低氟化物玻璃活性气氛处理过程中出现通气管腐蚀、断裂以及玻璃液中杂质引入的风险。
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一种制备直接醇燃料电池管状阴极的方法,属于燃料电池领域。本发明首先配制凝胶注模用单体溶液,之后将中间相沥青炭微球加入到单体溶液中,搅拌均匀得到稳定的浆料,然后将浆料浇注到模具中,保温至单体与交联剂完全反应,得到炭管素坯,将素坯烘干、真空烧结后,在其表面采用浸渍工艺制备扩散层、催化剂层,然后采用滴管涂覆聚合物电解质膜,在加热台上对炭管进行滚压,使电解质膜固化。依以上步骤,即制得直接醇燃料电池管状阴极。本发明制作的直接醇燃料电池管状阴极具有机械强度高、重量轻、导电导热性能好、长期运行对质子交换膜燃料电池无毒害与污染、价格低廉的特点,可取代价格较高昂的管状钛网阴极。
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一种用于燃料电池的金属气体扩散层及其制备方法,通过真空高温烧结的方法制备不锈钢短纤维烧结毡,然后采用闭合场非平衡磁控溅射离子镀技术在经过预处理的不锈钢短纤维烧结毡上依次制备得到铬层和石墨层,再采用聚四氟乙烯对镀膜不锈钢短纤维烧结毡整体进行憎水处理,最后采用超声震荡方法进行表面炭粉涂覆,得到用于燃料电池的金属气体扩散层。本发明以价格低廉的不锈钢纤维作为原材料,采用高温真空烧结的方法制备烧结毡,辅以磁控溅射离子镀技术制备一层碳膜,以增加其接触性能和防腐蚀性能,实现燃料电池用气体扩散层的高性能低成本制造。
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本发明公开了一种注浆成型制备钇铝石榴石(YAG)基透明陶瓷的方法。具体工艺步骤包括:将氧化物陶瓷粉体、烧结助剂、非水溶剂和分散剂球磨混合,加入粘结剂、增塑剂和消泡剂,球磨混合制备非水基浆料,其中浆料由下列质量百分比组成:氧化物陶瓷粉体40~70%,烧结助剂0.01~1%,分散剂0.005~2.5%,粘结剂0.01~5%,增塑剂0.01~3%,消泡剂0.005~0.5%,其余量为非水溶剂;将浆料注浆成型制备陶瓷块体,采用两步干燥法制备陶瓷素坯,然后真空烧结制备透明陶瓷。本发明采用注浆成型,特别适合用于制备形状复杂、大尺寸和复合结构的陶瓷样品,大大拓宽了透明陶瓷的制备途径。
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本发明公布了一种纳米镍保护层吸气材料的制备方法,按以下步骤进行:将吸气合金的原料依次经熔炼、破碎和球磨,得到吸气合金粉末;所述破碎和球磨在保护气氛下进行;所述吸气合金粉末的粒径为80目~325目;将所述吸气合金粉末放在钢性模具中进行压制形成压坯;将所述压坯用镍箔包覆,确保压坯的每个面暴露在镍箔环境中;将镍箔包覆的压坯在真空度为(3~5)×10‑3Pa下进行真空烧结,等真空烧结炉冷至室温时,出炉即可得到所述纳米镍保护层吸气材料。本发明防止在大气环境下吸气剂表面氧化等问题,又能在实际的工装使用环境下,维持真空器件的高真空度、长寿命、高可靠性,对真空器件中的残余气体吸收具有高可靠性。
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本发明公开了一种铜铬合金铸坯的制备方法,用于制造铜铬合金材料的毛坯,该铜铬合金材料所含金属成分的重量比为:铬25%,第三组元0.5-3%,铜为余量,该第三组元为钨、钴、铌或钽中的任一种,该制备方法的工艺步骤为:先将铜、铬和第三组元的金属按照预定重量比在真空感应炉中熔化成合金液相,炉内真空度小于1×10-1Pa,炉内温度1800-2000℃,然后经过充氩、保压10-50kPa、搅拌、精炼20分钟,最后在水冷模中浇铸成铸坯,浇铸温度保持在1800-1900℃。本发明采用真空熔铸法制造铜铬合金,使制备的合金材料具有组织致密、晶粒细小均匀、气体含量低、电导率高的优点,特别适用于各种电器触头材料的制造。
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本发明涉及双掺杂的钇铝石榴石透明陶瓷材料 及制备方法,其特征在于:1)对于 Cr4+, Nd3+ : YAG体系,Cr离子的掺杂 量为0.02~0.5at%,Nd离子的掺杂量为0.5~4.0at%;2)对于 Cr4+, Yb3+ : YAG体系,Cr离子的掺杂 量为0.01~0.5at%,Yb离子的掺杂量为5~30at%。制备方法 特征在于粉料均匀混合后经干压加冷等静压成型的素坯,在真 空烧结炉中直接烧结或分二步烧结,烧结后再退火处理。本发 明提供的双掺杂的透明YAG材料透过率>70%,可用作自调 Q固体激光器的工作物质。
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