现有硅异质结电池在正面需同时布置TCO与金属栅线，二者重叠区域易产生寄生吸收与横向漏电，银浆与铟锡氧化物（ITO）成本居高不下。琏升光伏提出的专利结构，在受光面并排设置“介电减反钝化层+功能层”，前者厚度>100 nm，介电常数低，可抑制横向电流；后者仅保留必要区域，TCO宽度由传统全覆盖缩减至略大于电极宽度，银浆用量同步下降。
介电减反层采用PECVD低温沉积，与HJT现有钝化工艺温度窗口完全匹配，无需新增高温步骤；功能层与TCO仍沿用常规溅射，但靶材面积缩小，良率提升2–3个百分点。专利说明特别强调，整线节拍保持不变，单瓦设备折旧成本降低约0.02元。
根据实验室数据，在244 cm² M6硅片上，新结构开路电压提升3 mV，短路电流密度增加0.8 mA/cm²，组件功率提升5–7 W；对应银浆节省6%、ITO靶材节省5%，以当前价格计算，单瓦材料成本可下降0.04–0.05元。若用于双面组件，背面同样结构可带来额外1%发电增益。
琏升光伏已在眉山基地改造一条600 MW HJT中试线，计划2025年Q4完成专利结构导入，2026年H1实现500 MW规模量产。公司同时与四川某靶材企业签署长单，锁定低铟ITO及AZO靶材，确保专利落地后的供应链安全。
一项看似“缩小TCO”的细节创新，却同时触及效率、成本、供应链三大痛点。眉山琏升光伏通过介电减反钝化层的巧妙布局，为HJT电池打开降本新通道。随着专利进入量产验证，中国光伏企业在下一代高效电池赛道上又多了一张王牌。
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