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0 近日，长飞先进武汉基地项目迎来了重要里程碑——首批生产设备正式入驻光谷科学岛，标志着该项目正加速推进，步入实质性建设阶段。
据了解，这批入驻的设备覆盖了芯片制造的全链条，包括薄膜淀积、离子注入、光刻、刻蚀等关键环节，为后续的量产奠定了坚实基础。长飞先进武汉基地项目总投资预计超过200亿元，占地面积约22.94万平方米，建筑面积更是高达30.15万平方米。项目主要聚焦于第三代半导体功率器件的研发与生产，建设内容包括晶圆制造厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等，规模宏大，设施完善。
预计到2025年5月，长飞先进武汉基地将实现量产通线，届时将年产36万片碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，这些产品将广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等前沿领域，为推动相关产业的快速发展贡献力量。
值得一提的是，近期除了长飞先进武汉基地外，还有多个碳化硅芯片/模块项目也取得了显著进展。例如，士兰微旗下厦门士兰明镓化合物半导体有限公司的碳化硅功率器件生产线建设项目已经通过验收，新增了一条SiC产线，主要生产SiC功率芯片产品，年产能达到MOSFET芯片和SBD芯片各28.8万片。另外，瑞福芯科技的“车规级SiC半导体功率模块产业化项目”也正式落地东台高新技术开发区，投资规模在10-15亿元之间，分两期实施，首期投资已达3亿元。
这些项目的顺利推进，无疑将为中国碳化硅产业的发展注入新的活力。
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