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本发明提供了一种电容的失效分析方法，包括以下步骤：A、对需要进行分析的电容样品进行外观观察，分析可能的实效原因；B、对需要进行分析的电容样品进行X-Ray透视检查，确认电容的内部结构；C、使用小刀将电容划开，取出电容样品中的薄膜；D、将需要进行分析的电容样品制作成金相切片样品；E、使用扫描电子显微镜对金相切片好的样品进行观察分析；F、综合分析上述步骤得出的结果，确定电容失效的原因。本发明带来的有益效果是：本发明方法步骤简单清晰，可准确分析出电容失效的原因，不会造成误判。
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本发明涉及一种对失效芯粒的自动分析方法及系统，所述方法包括以下步骤：收集待测晶圆的WAT数据及CP数据，进行数据分析处理，所述WAT数据为待测警员的电性测试数据，所述CP数据为待测晶圆上每一个芯粒的测试数据；根据待测晶圆不同的WAT测试项目、测试坐标将待测晶圆的WAT数据生成对应测试项目的WAT mapping图；根据待测晶圆不同的CP测试项目、测试坐标将待测晶圆的CP数据生成对应测试项目的CP mapping图，并根据生成的CP mapping图单独提取与WAT相对应shot位置的数据，形成新的CP‑WAT mapping图；将待测晶圆的WAT mapping图与CP‑WAT mapping图进行比对，计算得到WAT mapping图与CP‑WAT mapping图的相似值，并根据计算得到的相似值大小排序，判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。节省人力物力，提高效率。
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本发明关于一种半导体器件的失效分析方法，其包括步骤：去除半导体器件背面的铜层；对半导体器件背面的硅层进行减薄；及使用微光显微镜(Emission？Microscope，EMMI)和/或镭射光束诱发阻抗值变化测试(OBIRCH)电性定位设备定位半导体器件背面的失效点。本发明半导体器件的失效分析方法通过通过对半导体器件的背面进行除铜、硅层减薄及失效点定位，节约了时间，提高了效率及成功率。
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本发明涉及一种电力联结金具失效分析方法，包括步骤有：(1)对失效的金具进行现场环境、工作状态及有关信息展开调查并记录；(2)收集与失效金具有关的背景资料；(3)对失效金具进行分析试验，找出失效金具损坏的原因；(4)分析试验结果，得出最终失效结论。通过本发明方法对金具失效过程的分析研究，不但可以弄清金具失效的本质、产生的原因及提出预防的措施，而且有助于查找技术管理方面的薄弱环节，通过确定失效的原因，可完善材料性能、改进设计、选型、安装工艺、检修、检查、监督等各方面工作，提高金具的质量。
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公开了一种失效分析方法及结构，方法包括：获取测试结构的位置以及与所述测试结构对应的目标焊盘的位置；将所述目标焊盘电连接至空白焊盘上；通过所述空白焊盘对所述测试结构进行失效分析，其中，所述目标焊盘位于所述测试结构上方，将所述目标焊盘电连接至所述空白焊盘上后，所述目标焊盘与所述空白焊盘之间实现电交流。该申请中通过将目标焊盘与空白焊盘电连接，通过在空白焊盘扎针进行失效分析的方法，避免了直接在目标焊盘扎针进行失效分析的过程中，多次扎针引起的测试结构损伤的情况，提高了失效点定位的准确性。
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本申请提供一种电学失效分析方法，包括：获取晶圆的各个失效晶粒的失效日志；根据失效晶粒的失效日志中高频测试结果和低频测试结果，确定各个高频主导失效晶粒和各个低频主导失效晶粒；获取当前高频主导失效权重值；根据各个高频主导失效晶粒的各个结构层的高频失效尺寸、各个低频主导失效晶粒的各个结构层的低频失效尺寸、当前高频主导失效权重值和晶圆的各个结构层的设计尺寸，获取各个结构层的失效偏差值，根据失效偏差值和预定偏差阈值，调整当前高频主导失效权重值，直至至少一个结构层的失效偏差值满足预定偏差阈值，获取与最大的失效偏差值相对应的最大失效影响层。本申请实施例所提供的电学失效分析方法，可以提高电学失效分析的准确性。
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本发明公开的一种半导体结构的失效分析方法包括：提供一待测半导体结构，待测半导体结构包括衬底、栅极结构、介质层、互连金属层和钝化层，且衬底内形成有阱区、源漏极；去除钝化层、互连金属层、介质层以及栅极结构以将源漏极的上表面予以暴露；继续将源漏极上表面暴露的待测半导体结构放入氢氟酸混合溶液中浸泡以对该待测半导体结构进行染色操作；观察进行染色操作后的待测半导体结构以对该待测半导体结构进行失效分析；通过该方法不需要对每一个晶体管进行电特性分析的精确定位，而只需要定位出一个小于10um×10um的区域，即可快速确认芯片的失效是否由LDD未有效注入引起，从而降低了失效分析的难度以及失效分析的成本。
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本发明属于构件失效分析技术,涉及一种在对失效信息进行采集的基础上基于失效分析专家系统的构件失效模式检测方法。本发明利用计算机辅助失效分析专家系统进行构件失效模式的检测,可以快速、准确地帮助失效分析人员进行失效分析,避免人为因素的干扰,还可以弥补个人知识和经验的不足,提高分析的准确性和缩短分析的周期。本发明对失效结构件进行外观、宏观、微观等的充分分析,并结合失效件的材料、载荷、环境等失效信息进行失效件的失效模式和失效机理分析,从而提高了失效结构件的分析准确率。
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一种半导体失效分析结构及其形成方法、检测失效时间的方法，其中所述半导体失效分析结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有待测区、第一串联区和第二串联区；位于所述半导体衬底的待测金属层、第一金属层和第二金属层；位于层间介质层内的第一导电插塞使第一金属层、第二金属层和待测金属层串联；位于所述第一串联区的若干第一电阻金属层；位于所述第二串联区的若干第二电阻金属层；位于第一串联区层间介质层内的若干第二导电插塞；位于第二串联区层间介质层内的若干第三导电插塞；所述第一导电插塞、第二导电插塞、第三导电插塞将所述待测金属层、第一金属层、第二金属层、若干第一电阻金属层和若干第二电阻金属层依次串联。
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本申请实施例涉及一种新型集成电路失效分析检测方法。根据本申请的一实施例，新型集成电路失效分析检测方法包括：对集成电路组件进行封胶以得到包含新型集成电路的胶柱体，其中集成电路组件包括晶片和衬底，衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，晶片位于衬底的第一表面上；以及从靠近衬底的第二表面的胶柱体的底面进行研磨至暴露衬底。本申请实施例提供的新型集成电路失效分析检测方法可有效解决传统技术中遇到的问题。
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本发明涉及一种电容失效分析检测方法，包括如下步骤：外观检查；内视检测，通过探伤检测设备对失效电容进行失效点定位，并确定失效点位置；初步确认失效原因，根据失效点位置列出可能的失效原因；模拟试验，根据失效原因对良品电容进行针对性的通电模拟，验证可能的失效原因，并将良品电容在失效损毁后的失效点情况与失效电容的失效点位置进行比对，确定失效原因；金相检测，将失效电容制成失效点位置的金相切片并在金相显微镜下观察确认，再使用扫描电镜和能谱分析仪对金相切片进行扫面分析，验证确定电容失效损毁原因并给出分析结论。本发明能够快速、高效地确认电容失效的根本原因，通过电容失效分析实现对于电子系统的工作可靠性的提高。
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本发明公开了一种电子产品的可靠性失效分析检测方法，包括以下步骤：S1、在电子产品元件上安装温度、电流和电压监测装置；S2、将电子产品元件额定范围输入分析检测单元并作为第一数据；S3、温度、电流和电压监测装置对电子产品元件实时数据检测并上传；S4、上述数据在分析检测单元中与额定范围值的最大值进行比较计算，超出额定值关闭电子产品元件；S5、将失效数据通过失效数据显示单元进行显示。本发明分析检测方法简单明了，通过数次检测即可得出影响电子产品元件可靠性的主要原因，并针对性的进行改进，提高电子产品元件使用的可靠性，延长电子产品元件使用寿命，适合进行推广。
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本发明提供了一种静态存储器的在线失效分析方法和在线电子束检测设备，包括：将不同类型的探针安装到在线电子束检测设备的腔体中；将晶圆置于在线电子束检测设备的腔体中；利用在线电子束检测设备对接触孔进行扫描并获得静态存储器中接触孔的图像信息；根据接触孔的图像信息找出产生缺陷的接触孔；根据产生缺陷的接触孔的类型来选择与之相对应的探针；在线电子束检测设备控制所选择的探针与相应的产生缺陷的接触孔相接触，并进行电性能检测；根据产生缺陷的接触孔在静态存储器单元中的功能，在线电子束检测设备将探针进行组合来检测功能并进行失效分析；检测到功能失效，则产生缺陷的接触孔是导致静态存储器失效的原因。
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本发明公开了一种针对化学发光免疫分析仪上反光杯失效的检测系统。涉及使用到反光杯的化学发光免疫分析仪设备，属于体外诊断器械领域。该检测系统包含光源模块，检测光路模块以及上位机系统共三部分。光源模块和检测光路模块连接为一体，和化学发光免疫分析仪连接。通过上位机系统，实现对反光杯失效进行检测和判断。本发明有益效果：光源模块通过光强控制单元可调节光强大小，同时光源模块带有光强检测与反馈单元，以此保证光源光强输出的稳定。反光杯的反光面做鳞片化调整，增加了光线在反光面上的反射次数，保证了检测的可靠性；其次，操作方法简单，按照操作流程，就可及时且有效的判断反光杯失效问题。
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本发明公开了一种覆晶芯片失效分析方法及电性定位中检测样品的制备方法，所述制备方法包括：提供待测的覆晶芯片，包括封装基底与制备于封装基底上的裸片，裸片的外部覆盖有塑封体，裸片与封装基底之间连接有金凸块，封装基底的底部焊接有锡球；研磨裸片外部的塑封体直至裸露出裸片的晶背；将裸片的背面结合到一玻璃基板上，玻璃基板上设有导电片；用封装绑线将玻璃基板上的导电片与封装基底底部的锡球电性连接，以得到检测样品。本发明覆晶芯片失效分析检测样品的制备方法，通过研磨掉裸片的背面的塑封体，再将裸片的背面结合在玻璃基板上进行失效分析，不必腐蚀塑封体以及分离封装基底与裸片，从而避免了取裸片的过程中金凸块被腐蚀的可能性。
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本发明属于电子产品失效分析领域。本发明提供了一种汽车车窗开关失效的检测分析方法，包括以下步骤：A、对失效的汽车车窗开关样品进行失效定位，通过外观检查和电学测试，寻找出失效的位置；B、查找失效原因；C、分析与排查失效原因：对步骤B中的可能原因依次进行验证，以确定出具体的车窗开关失效原因；D、模拟重现失效现象，验证失效机理。本发明方法步骤简单清晰，能有效找出电子产品失效的多种原因；本发明方法中使用了“穷举法”使得引起电子产品失效的原因尽可能多地被查找出来；本发明方法中通过模拟重现失效现象以提高失效原因的真实性和可靠性，极大地减少了分析出错。
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一种用于半导体器件失效分析的检测方法,包括:利用聚焦离子束,对产生有缺陷的半导体器件剖面进行磨削,以改变源/漏区的表面性状;利用腐蚀处理溶液,对所述半导体器件的剖面进行腐蚀,以显露出源/漏区的结剖面形貌;利用放大成像装置得到对应所述半导体器件的剖面的图像资料,观察所述图像资料以获取所述半导体器件所产生的缺陷的分布情况。本发明通过聚焦离子束磨削和腐蚀处理溶液腐蚀相结合,获得易于观察的半导体器件的源/漏区的结剖面形貌,提供判断器件是否失效的依据。
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本发明公开了引入内检测数据的地震作用下腐蚀管道失效概率分析方法，对不同检测时间下所获得的管道内检测数据进行特征匹配；基于特征匹配结果，分别在轴向、周向和径向上建立独立的管道腐蚀随机增长模型；通过伽玛分布联立三个管道腐蚀随机增长模型，得到3D依赖的腐蚀随机增长模型，嵌入贝叶斯推断中，再通过MCMC模拟技术对贝叶斯推断进行更新，得到更新的3D腐蚀随机增长模型，建立等效地震作用下的腐蚀管道失效概率模型，结合失效条件，评估腐蚀管道的失效概率。本发明可解决现有技术仅从径向上估计腐蚀缺陷增长的问题，实现综合考虑管道腐蚀在三维方向的增长，以提高预测准确性的目的。
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本发明提供刀具失效过程实时检测及优化数据分析系统，包括监测模块和失效分析模块；所述监测模块，用于实时获取刀具工作过程中刀具的纹理特征值和温度特征值；所述失效分析模块，用于基于已训练的刀具失效模型对所述纹理特征值和温度特征值进行处理，得到刀具失效状态。通过测试和提取刀具红外信号特征样本，断精度可达到80％以上，有效解决了刀具工作状态难以实时监测与诊断的技术难题，对提高刀具的工作效率以及节能降耗具有非常重要的意义。
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本发明公开一种机械结构件微结构损伤失效检测分析方法，该方法包括以下步骤：步骤一、缺陷检测：将待检测机械结构件放置在电子加速器的靶头前照射，用探测器对待检测机械结构件进行探测；步骤二、缺陷定位：两个探测器按预设角度接收待检测机械结构件湮灭放出511keV光子，并两个能谱通过三维合成云图，通过云图展示受检机械结构件的缺陷位置；步骤三、S参数计算：光谱的定性分析图，即得到可反映材料劣化信息的S参数；步骤四、缺陷情况分析：对于有缺陷的待检测机械结构件，由于电子的动量小，造成的多普勒展宽小，得到的S参数大。本发明具有根据所放出的γ射线强度，评估材料的劣化情形的特点。
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本实用新型涉及检测装置技术领域，尤其涉及电池能量失效模式与效应分析检测装置，包括：安全门、干粉喷头、排气扇；所述干粉喷头固定设置在检测单元的内壁上，且干粉喷头通过管道与干粉储存罐相连接；所述排气扇设置在检测单元的内壁上，且排气扇与控制器通过电性方式相连接；所述液压油缸设置在固定板上，且液压油缸与液压油泵站通过油管相连接；所述烟雾感应器固定设置在固定板上，且烟雾感应器与控制器通过电性方式相连接。本实用新型通过结构上的改进，具有结构简单，性能稳定可靠，分析检测效率高，使用安全性高的优点，从而有效的解决了现有装置中存在的问题和不足。
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本发明涉及一种软包锂电池微孔失效原因的分析检测方法，该方法具体实施步骤如下：首先将ALF铝塑膜中含有微孔的区域剪下，将其浸泡在电解液中，然后置于10℃～150℃的温度环境下存储1‑60天；当ALF铝塑膜中的聚丙烯(PP)层、尼龙层等不同材料与铝层分离后，将铝层取出；再将浸泡过的铝层置于显微镜下，观察微孔是向尼龙层方向变形，即判定是由冲头颗粒异物所致；还是向PP层方向变形，即判定制造过程中受外力影响；或者是不变形，即判定由冲壳变形拉伸所造成，进而确定该铝层微孔产生的原因，以调整锂电池生产工艺，改变不良生产环境和条件。本发明方法设计合理，操作简单，分析检测准确，可靠性高，成本低、效益高，应用效果非常显著。
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本发明涉及锂电池制造领域，具体涉及一种锂电池短路失效分析方法，其包括如下步骤：提供一粉尘以及与粉尘相对应的分析参数，其中，分析参数包括粉尘的种类和粒径；将正极极片、隔膜和负极极片依次叠放，其中，粉尘设置在正极极片与隔膜之间，或者，粉尘设置在负极极片与隔膜之间；对正极极片和负极极片施加压力以压紧正极极片和负极极片；对正极极片和负极极片提供电压；调整压力和/或电压直到正极极片和负极极片短路；记录在该分析参数下粉尘短路时对应的压力和电压。通过重复上述步骤，则可以得出不同分析参数的粉尘在一定条件下短路的数据，由此，锂电池在安全验证中短路后，通过查询比对所记录的数据，则可以快速的查出是何种粉尘。
本发明提供一种针对待测芯片设计专用载板、测试设备、芯片电性失效分析的方法，所述方法包括：针对待测芯片设计专用载板，所述载板包括位于待测芯片容纳区域的焊盘阵列、用于与测试机台进行信号传输的针脚阵列，以及连接所述针脚阵列和焊盘阵列的金属连线；将待测芯片采用SMT技术贴装于所述载板上。本发明提供的芯片电性失效分析的方法和用于芯片电性失效分析的专用载板以及测试设备能够方便快捷的完成硬件准备，且能够容易的实现大管脚数目芯片测试的芯片失效分析。
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本发明提供了一种测试结构，包括蛇形金属线和两个相对交错设置的测试梳状结构，每个测试梳状结构分成至少两个子梳状结构，且每个所述测试梳状结构中的相邻两个所述子梳状结构之间具有间隔，且每个所述测试梳状结构中的至少一个所述间隔处的所述蛇形金属线的至少一个拐弯部位上引出有焊盘。即通过上述方法将所述测试结构分成了若干个小面积的测试结构，能够解决EBIRCH不能定位到超大面积结构nA级别漏电的短路点的问题；同时结合电阻比例法，以使得EBIRCH能轻易定位到超大面积结构nA级别漏电的短路点，从而找到失效的根本原因，对解决工艺问题以及促进研发进度能有很大的帮助。
本发明涉及车辆失效分析系统、车辆失效分析设备及车辆失效分析方法。一种车辆失效分析系统(1),用于装有多个控制系统的车辆,每个控制系统由一个或多个部件形成,所述车辆失效分析系统包括:故障系统识别单元(2D),其从多个控制系统中识别故障控制系统;故障部件识别单元(3B),其根据所识别的控制系统,从一个或多个部件中识别故障部件。
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本发明公开了用于集成电路电性失效分析的芯片测控系统及测试方法，该系统实现了不同封装形式的待测失效芯片与光电检测仪之间灵活可靠的光信号耦合，并且通过上位机、失效芯片装卡组件和失效芯片测控组件之间的交互为待测失效芯片提供了进入并保持特定失效状态的触发手段；其次，通过对待测失效芯片的失效表征工作电流进行连续采样和实时检测，确保了对待测失效芯片失效态的识别和监控。最后，通过环境变量传感模块实现了对待测失效芯片检测环境的实时监测。
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本发明公开了一种BEOL测试芯片在线失效分析的方法。本发明通过拆分特性测试的失效结构生成多个虚拟缺陷,并合成检测缺陷结果的方法,实现了自动自动扫描电子显微镜对失效位置的寻找确认和分析。本发明可以避免对硅片的破坏性分析,提高分析效率和成功率,同时实现对检测程序的实时反馈,提高程序优化的效率和准确率。本发明适用于半导体工艺中BEOL测试芯片在线失效分析方法。
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本公开实施例提供了一种测试设备、失效分析方法和测试系统，该测试设备包括芯片载台和用于支撑芯片载台的支撑底座，且支撑底座内设置有比较模块和可调电阻模块；其中，芯片载台，用于承载被测芯片；比较模块，与可调电阻模块连接，用于对被测芯片中待测试层的接地电压与芯片载台的接地电压进行比较，根据比较结果和可调电阻模块对待测试层的接地电阻进行调节，以降低待测试层的表面荷电效应。本公开实施例能够降低待测试层的接地点和芯片载台的接地点之间的信号干扰，改善EBAC的成像效果，使得在对被测芯片进行失效分析时，可以快速且准确地定位失效点。
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