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本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种定向凝固及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法,加热在熔炼坩埚中的造渣剂,并使其保持液态,同时通过另一小坩埚中熔化高硼、高金属的多晶硅料形成多晶硅熔液;将多晶硅熔液连续导入并分散于液态造渣剂中,熔炼反应去除杂质硼,待熔炼坩埚中液体装满时,停止加入多晶硅熔液,加热使熔炼坩埚中保持液态,熔炼后进行定向凝固,切去硅锭顶部杂质含量较高的多晶硅及废渣,即可得到硼和金属杂质含量较低的多晶硅锭。综合渣滤熔炼和定向凝固的技术去除多晶硅中的杂质硼和金属,有效提高了多晶硅的纯度,达到了太阳能级硅的使用要求,其提纯效果好,技术稳定,工艺简单,节约能源,成本低,生产效率高。
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本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束造渣熔炼去除多晶硅中杂质硼的方法,将洗净后的多晶硅料及造渣剂均匀混合形成混合料;再预处理:将混合料放入电子束熔炼炉内的熔炼坩埚中,对熔炼坩埚进行坩埚水冷,预热电子枪;采用小束流电子束轰击混合料,混合料熔化后增大电子束至250-500mA进行熔炼,杂质硼在熔炼过程中与碱性造渣剂反应生成气体挥发而去除,冷却凝固得到低硼的多晶硅锭。本发明采用了电子束造渣熔炼的技术,结合了造渣除硼和电子束除去挥发性杂质的特点,工艺更加简单,有效将电子束与造渣工艺结合,工艺条件温和易于操作,生产周期短,节能降耗,提纯效果好,技术稳定,生产效率高。
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本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种电子束及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法,在熔炼坩埚中加热熔化造渣剂形成造渣剂熔液,并保持其液态,同时通过加料装置向水冷铜坩埚中连续加入高磷、高硼和高金属的多晶硅料,硅料在电子束轰击下熔化成硅熔液,并熔炼去除杂质磷;除磷后的低磷硅熔液导流进入到造渣剂熔液之中,在熔入的过程中,硅熔液中的杂质硼与造渣剂反应去除杂质硼,加满料后将熔炼坩埚中的熔液加热保持液态熔炼3-10分钟,定向凝固,切去硅锭顶部废渣及金属含量较高的硅块即可。本发明综合利用电子束熔炼除磷、渣滤熔炼除硼及定向凝固除金属的技术去除多晶硅中的磷、硼和金属杂质,提纯效果好,生产效率高,适合批量生产。
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本发明涉及到一种粉矿悬浮磁化焙烧粉体急冷降温工艺余热锅炉，主要包括前置蒸发器、锁气器Ⅰ、悬浮床蒸发器、旋风分离器、锁气器Ⅱ、流化床换热器、流化风装置Ⅱ、汽包、除氧器、加药装置和排污系统。冶金工艺中粉矿悬浮磁化焙烧粉体通过前置蒸发器、悬浮床蒸发器及流化床换热器三段式降温工艺有效控制粉的降温过程和实现粉体不失磁的降温工艺。不仅能够有效利用粉体中的余热，降低企业生产能耗和生产成本，而且主要满足冶金选矿工艺要求和节能、降耗，具有可观的经济价值和社会效益。
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本实用新型公开了一种带有清理除渣机构的火法冶金设备，包括清理除渣装置本体，清理除渣装置本体包括移动环以及除渣刀环，移动环包括环形卡槽、滑动块以及限位孔，环形卡槽开设在移动环的顶部板面上，滑动块连接在移动环的外壁上，滑动块的数量不少于四个，且滑动块包括滚动槽以及滚珠，滚动槽开设在滑动块的前后两个板面上，每个板面上的滚动槽的数量不少于三个，且滚动槽的内部设置有滚珠，滚珠的表面与滚动槽的底面接触，限位孔开设在移动环的内壁上，将刀座设置成双层刀环结构，相较于传统的刀环，双层刀环结构不仅对冶金炉的内壁表面进行清理，而且对滑动块的移动轨道进行清理。
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不锈钢相对于普碳钢，机械性能更好，轧制变形抗力大。想要轧出合格的板带相比于普碳钢难度大一些。轧制普碳钢选择四辊轧机或者六辊轧机，轧制不锈钢选择多辊轧机。由于多辊轧机自身特点，为了大的轧制压下量等因素，工作辊直径很小，受空间限制，工作辊没有轴承座，只有一根光辊，辊身靠周边辊系支撑。其轴向固定不能像普通四六辊轧机那样锁住工作辊轴承座即可。既需要轴向固定工作辊，又需要承受工作辊径向旋转，所以开发一种新型工作辊轴向固定装置非常有必要。
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本发明钢渣辊式破碎风淬冷却干法处理装置及其工作方法，涉及冶金技术领域，尤其涉及液态与固态高温钢渣辊式破碎风淬冷却干法处理装置及其工作方法。
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本发明旋转式上升管石墨清扫装置及其使用方法，涉及冶金焦化技术领域，尤其涉及应用在顶装焦炉装煤车和捣固焦炉导烟车上的旋转式上升管石墨清扫装置。
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本发明的目的是提供一种自动上料系统及使用方法，能够将开袋卸料时产生的粉尘收集回收，整个过程均在负压下进行，避免了对周围环境造成污染，改善了工人工作环境，避免卸料时吨袋的碎屑混入物料内污染原料，减少原料浪费，减轻工人的劳动强度，提高上料效率。
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