近日，西安交通大学金属材料强度全国重点实验室材料创新设计中心（CAID）团队在非晶合金材料领域取得开创性成果。
该团队成功研发出一种具有几乎完美八面体局部结构的铬-碲（CrTe3）非晶合金，这项突破从根本上解决了相变存储器件长期存在的电阻漂移问题。相关研究成果已发表于国际顶级学术期刊《自然·材料》（Nature Materials），为发展高精度相变类脑计算器件提供了
关键材料基础。
相变存储器利用硫族化合物非晶相与晶体相之间的电阻差异实现数据存储。而非晶材料通常具有自发结构弛豫的特点，对于相变存储材料而言（如商用锗锑碲合金GST），其非晶相电阻值会随时间的推移而自发漂移，这对于精准多值编程带来了巨大挑战，极大地影响了相变类脑计算的计算精度。
此外，非晶结构弛豫在不同的环境温度下呈现出复杂多变的不确定性，从而导致相变类脑计算技术难以适配环境多变的边缘端应用场景。
论文截图。
为了解决该问题，西安交通大学金属材料强度全国重点实验室材料创新设计中心（CAID）团队解析了非晶相变材料结构弛豫行为的原子尺度机理，明确了电阻漂移根源主要来自于非晶局部结构缺陷密度以及派尔斯畸变程度随时间和温度的演化。
在此基础上，团队设计了一种局部结构几乎全部为完美八面体的铬碲非晶合金CrTe3。”其八面体结构中无明显长短键差异，因此其结构弛豫很弱且并不引发能带结构的变化，可从根本上消除电阻漂移。“论文第一作者王晓哲解释。
随后，团队通过磁控溅射制备了CrTe3薄膜，从实验上证实了该非晶薄膜在-200至165摄氏度的宽温区范围内无明显的电阻漂移。
进一步，团队与中国科学院上海微系统与信息技术研究所团队合作，验证了CrTe3器件在反复操作十万次之后依然无明显电阻漂移行为。此外，团队通过光控电测方法实现了稳定的多值存储，并设计加工出了基于CrTe3阵列的智能小车，实现了稳定的自动寻址功能，即便将CrTe3阵列置于150摄氏度下1小时，其后该自动寻址功能依然可以完美复现。
业内专家指出，此项研究不仅解决了相变存储领域的核心瓶颈问题，也为非晶合金的结构调控提供了全新思路，有望推动我国在高性能存储材料领域的国际竞争力提升。
相关论文信息：https://doi.org/10.1038/s41563-025-02361-0
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