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烁科晶体突破技术壁垒:12英寸碳化硅衬底研制成功

2024-12-31 17:12:18 来源:集邦化合物半导体
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简介:山西烁科晶体有限公司,作为中电科半导体材料有限公司的子公司,已成功研制出直径为12英寸(即300毫米)的高纯半绝缘碳化硅单晶衬底,并同时成功研制出12英寸的N型碳化硅单晶衬底。这一成果标志着烁科晶体在碳化硅材料领域取得了重大突破。

12月31日,烁科晶体传来振奋人心的消息。据中国电子材料行业协会透露,山西烁科晶体有限公司,作为中电科半导体材料有限公司的子公司,已成功研制出直径为12英寸(即300毫米)的高纯半绝缘碳化硅单晶衬底,并同时成功研制出12英寸的N型碳化硅单晶衬底。这一成果标志着烁科晶体在碳化硅材料领域取得了重大突破。

烁科晶体突破技术壁垒:12英寸碳化硅衬底研制成功

烁科晶体在产能建设方面也取得了显著进展。其碳化硅二期项目已于2024年10月顺利竣工验收,正式投产。该项目的建成将大幅提升烁科晶体的碳化硅衬底产能,预计每年新增20万片6-8英寸的碳化硅衬底,其中包括20万片N型碳化硅单晶衬底和2.5万片高纯衬底。


值得一提的是,烁科晶体在8英寸碳化硅晶体研制方面也取得了不俗的成绩。早在2021年8月,烁科晶体便成功研制出8英寸碳化硅晶体,随后在2022年1月实现了8英寸N型碳化硅抛光片的小批量生产。晶圆尺寸的增大意味着生产效率的提升和成本的降低,这对于制造商来说无疑是一个巨大的竞争优势。


目前,大尺寸晶圆已成为碳化硅产业共同追求的目标。烁科晶体的这一突破,不仅提升了自身在碳化硅材料领域的竞争力,也为整个产业的发展注入了新的活力。随着碳化硅衬底领域由6英寸向8英寸、甚至12英寸的转型加速,烁科晶体无疑将在这场技术革命中扮演重要角色。

         
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