在半导体材料领域取得重大技术突破，合盛硅业下属宁波研发中心成功开发出12英寸导电型碳化硅单晶生长工艺。这项历时多年的技术攻关，覆盖了高纯石墨提纯、多晶粉料合成、单晶生长及衬底加工等完整产业链环节。
碳化硅作为第三代半导体材料的代表，因其优异的耐高温、高压特性，正在
新能源汽车、
光伏逆变器等领域快速普及。12英寸大尺寸晶圆的量产，将显著降低器件制造成本，提升生产效率。合盛硅业通过优化热场设计和生长参数，解决了大直径晶体生长过程中的应力控制难题。
在配套加工环节，研发团队同步推进了切割、研磨和抛光工艺的开发。针对碳化硅材料硬度高、加工难度大的特点，创新采用激光辅助切割技术，将晶圆加工良率提升至行业领先水平。这些技术突破为后续8英寸产线向12英寸升级奠定了工艺基础。
目前，全球碳化硅衬底市场主要由欧美日企业主导。合盛硅业此次技术突破，标志着我国在该领域实现了从追赶到并跑的转变。公司计划在未来两年内建成12英寸碳化硅衬底量产线，预计年产能可达5万片。
除导电型产品外，研发团队还在开发半绝缘型碳化硅衬底。这类材料在5G通信、雷达等高频应用场景具有不可替代的优势。通过持续优化晶体缺陷密度和电学性能，产品已通过多家头部器件厂商的初步评估。
碳化硅产业链的快速发展，正带动相关装备和材料需求激增。合盛硅业正与国内设备厂商合作，共同开发专用长晶炉和加工设备，推动整个供应链的国产化进程。随着新能源汽车800V高压平台的普及，碳化硅功率器件市场将迎来爆发式增长，这对上游材料企业提出了更高要求。
业内人士表示，大尺寸碳化硅晶体的量产，将有效缓解目前的市场供需矛盾。合盛硅业凭借在硅基材料领域的技术积累，正逐步构建起覆盖碳化硅全产业链的竞争优势，为国内半导体材料自主可控提供新的解决方案。
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