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0 3月25日，西安交通大学传来好消息，该校电信学部副教授团队成功研制出全球首款氮化硼深紫外光电芯片。这一成果经过教育部科技查新工作站查证，确实为全球首创。它对深紫外固态光源在杀菌消毒、紫外固化以及紫外光通信等领域的应用有着极为重要的意义，相关研究成果还发表在了国际权威期刊《先进科学》上。
氮化硼是一种超宽禁带半导体材料，不过，基于这种材料的深紫外发光器件，一直存在难题。那就是材料掺杂困难，很难形成有效的发光复合结构。这不仅是科学难题，也是技术难题，困扰着全球的科研人员。此前，全球范围内都没有直接外延生长氮化硼的同质结深紫外发光芯片。
西安交通大学的科研团队经过3年多的攻关，终于取得了突破。他们在1400摄氏度的超高温环境下，成功破解了材料掺杂难题。科研人员采用物理加化学的方式，在薄膜内掺杂其他元素，形成有效的带电载流子。最终，他们制备出了完全具备自主知识产权的同质结深紫外发光芯片，其核心技术还申请了国家发明专利。
这款光电芯片还有一个亮点，就是实现了发射波长在300纳米以下的深紫外光。要知道，太阳光中波长小于300纳米的光，在穿过地球大气层时，会被大气臭氧层吸收，几乎无法抵达地球表面。在以往的研究中，国内外的科研人员大多是基于氮化镓和氮化铝材料体系来实现深紫外发光芯片的。
西安交通大学的这项成果，不仅填补了全球在氮化硼深紫外光电芯片领域的空白，还为深紫外固态光源的应用开辟了新的道路。它在杀菌消毒、紫外固化和紫外光通信等领域有着巨大的应用潜力，有望推动相关产业的发展，提升我国在该领域的国际竞争力，同时也为全球的科研工作提供了新的思路和借鉴。
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