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0 9月26日，晶盛机电旗下浙江晶瑞SuperSiC公司成功实现首条12英寸碳化硅衬底加工中试线通线。该产线实现了从晶体生长、加工到检测全流程设备自主研发，达到100%国产化目标。这标志着晶盛机电在碳化硅衬底领域实现全线自主可控，推动我国SiC衬底技术从跟跑迈向全球领跑，开启高效智能制造新阶段。
作为第三代半导体的关键材料，碳化硅具有高压电阻，高频和高效率等优点。它广泛用于新能源汽车，5G通信，智能电网等领域，并在AR设备和CoWoS先进封装等新兴应用中起着重要的作用。相较于8英寸产品，12英寸碳化硅衬底单片晶圆可提升芯片产出量约2.5倍，显著降低长晶、加工、抛光等环节的单位成本，为下游应用提供更具竞争力的成本路径。
浙江晶瑞SuperSiC此次贯通的中试线，覆盖了衬底加工全流程工艺，包括晶体切割、减薄、倒角、研磨、抛光、清洗及检测等环节。产线全部采用国产设备和自主研发技术，其中高精密减薄机、倒角机、双面精密研磨机等核心设备由公司多年攻关完成，性能达到行业领先水平，实现12英寸SiC衬底从装备到材料的完整闭环。
晶盛机电通过中试线的建设，彻底解决了关键装备“卡脖子”风险，为下游的产业提供了成本和效率的新标准。浙江晶瑞SuperSiC作为晶盛机电子公司，主要是从事碳化硅和蓝宝石抛光片等半导体材料的研发生产。这次12英寸SiC中试线的成功通线，是公司践行“先进材料、先进装备”双引擎战略的重要成果，也展示了我国在高端半导体装备领域的自主创新能力。
未来，晶盛机电将加快推进12英寸碳化硅衬底产线的量产进程，致力于为客户提供高质量、低成本的大尺寸衬底产品。公司计划与产业链伙伴深化合作，共同推进我国第三代半导体产业的规模化与高质量发展，助力国内半导体装备与材料实现更大突破。
总体来看，晶盛机电通过实现12英寸碳化硅衬底加工中试线的全线贯通和100%国产化，不仅完成了从晶体生长到检测的全流程自主装备布局，更在核心工艺与设备性能上达到行业领先水平。此举有效突破关键装备制约，为下游应用降低成本、提升效率奠定基础。该项目展示了我国在高端半导体制造领域的综合实力，也为第三代半导体产业的自主化、规模化发展注入强劲动力。
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