铌酸锂是一种应用广泛的光电材料，具有优良的光学性能和稳定性，被广泛应用于通信、医疗、安防等领域。而光子芯片则是利用铌酸锂材料制作而成的集成电路芯片，可以实现更高的传输速度和更低的能耗。因此，铌酸锂光子芯片的研发和产业化一直是光电行业的重要课题之一。
4月11日，由南京大学祝世宁院士团队领衔的南智先进光电集成技术研究院(以下简称“南智光电”)在江北新区举行了铌酸锂光子芯片产线启动仪式。这标志着铌酸锂光子芯片产线成功启动，对江苏省乃至全国光电产业的发展具有重要意义，并推动着铌酸锂芯片技术的创新和产业化进程。
本次启用的产线，具备了光刻、刻蚀、镀膜、研抛、湿法等系列核心技术工艺，这意味着国内薄膜铌酸锂光子芯片产业化取得重要进展。产线配备3.5亿元规模设备、5000平方米超净间，覆盖了整个产业链的核心工艺，月产能1000片晶圆。
铌酸锂晶体在业内被人称为光子时代的“光学硅”材料，因其自身机械性能稳定、易加工、耐高温、抗腐蚀、原材料来源丰富、价格低廉、易生长成大晶体的优点，尤其是实施不同掺杂后能呈现出各种各样的特殊性能，是至今人们所发现的光子学性能最多、综合指标最好的晶体，具有十分广阔的市场应用前景，被广泛的应用于高性能滤波器、电光器件、全息存储、3D 全息显示、非线性光学器件、光量子通信等方面。
在光通信领域，铌酸锂主要起起着光调制作用，已成为当前高速电光调制器市场的主流产品。当下，业内光调制的技术主要有三种：基于硅光、磷化铟和铌酸锂材料平台的电光调制器。铌酸锂电光调制器主要用在100Gbps以上的长距骨干网相干通讯和单波100/200Gbps的超高速数据中心中，在上述三种超高速调制器材料平台中，近几年出现的薄膜铌酸锂调制器具备了其它材料无法比拟的带宽优势。
作为光电产业老前辈，祝世宁院士一直带领团队勇闯“无人区”，聚焦光电产业铌酸锂材料领域，坚持实现更多原创突破。2018年，在南京大学和南京江北新区支持下，祝世宁团队在江北新区产业技术研创园落地南智光电，并负责建设运营光电公共技术平台，瞄准下一代光电芯片技术在基础材料、器件工艺等方面的需求，开展研发工作。
“光电芯片有望成为我国率先突破的科技领域，我们应该对下一代技术更早地切入、更快地投入，争取在未来有更多的发言权。”将高校前沿科技落地转化，真正将论文写在大地上，祝世宁总是这样说着。
中红外超晶格激光器、自由空间无人机高速通信系统、超构材料平面透镜、高分辨光谱相机……经过6年沉淀之后，在南智光电这一科研平台上，科学家们将头脑中的一个个奇思妙想转变为现实，越来越多成果开始走进人们的视野。
今年初，南智光电启动平台二期建设，目前二期平台已经具备一定量产能力，月前才刚刚下线一批8英寸生物基因检测芯片，相关性能指标全部符合客户定制要求。
未来，以铌酸锂光子芯片产线为基础，南智光电将能够面向国内外光电企业提供芯片研发及流片支持。“以本次新产线的启动为契机，南智光电将更有信心，更好服务产业成长、赋能新区发展。”祝世宁说。
南智先进光电集成技术研究院
南智先进光电集成技术研究院于2018年4月27日在南京江北新区注册成立，系南京大学光电集成院士团队与南京江北新区管委会合作共建的新型研发机构。南智先进光电集成技术研究院所掌握铌酸锂材料及器件制备技术，在“薄膜铌酸锂+X” 异质集成光电芯片器件的关键技术与核心工艺方面处于国内领先水平。
南智光电以“聚力创新、赋能创业”为宗旨，主要开展先进光电单晶制备、微纳结构器件制造、异质集成光电芯片、光电子封装测试技术、光电集成设计技术和光电芯片应用技术及设备开发等方向的技术研发、产业孵化、赋能投资和人才培育。成立至今，研究院已获批国家高新技术企业、江苏省光电技术创新中心(南京)、南京市“十佳”新型研发机构、南京市高水平培育新型研发机构、南京市重点建设平台型新研机构等多项荣誉。
此次铌酸锂光子芯片产线启动仪式的举行，不仅是南智光电在光电领域的重要里程碑，也是江苏省乃至全国光电产业发展的一个重要标志。相信在学祝世宁院士团队的领导下，南智光电将继续努力创新，推动铌酸锂芯片技术在国内外的应用，为光电产业的发展贡献更多的力量。
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